STMicroelectronics STGB50H65FB2 IGBT, 86 A, 650 V, 3-tüskés, TO-263 1

Minden IGBT-k megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
RS raktári szám:
204-9869
Gyártó cikkszáma:
STGB50H65FB2
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram (Ic)

86 A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség (Vceo)

650 V

Tüskék száma

3

Csomag típusa

TO-263

Tranzisztorok száma

1

Maximális kapu-emitter feszültség (VGEO)

20 V

Származási ország (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 50 A

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.