Semikron Danfoss SKM100GB12T4 IGBT-modul N-csatornás, 160 A, 1200 V, 20 kHz, 7-tüskés Panel, SEMITRANS 2

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

37 013 Ft

(ÁFA nélkül)

47 007 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • További 130 egység szállítása 2026. október 05. dátumtól
  • További 16 egység szállítása 2027. január 13. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
1 - 137 013 Ft
2 - 435 168 Ft
5 - 933 574 Ft
10 - 1929 610 Ft
20 +28 125 Ft

*irányár

RS raktári szám:
687-4958
Distrelec cikkszám:
171-01-152
Gyártó cikkszáma:
SKM100GB12T4
Gyártó:
Semikron Danfoss
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Semikron Danfoss

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

160A

Terméktípus

IGBT-modul

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Tranzisztorok száma

2

Csomag típusa

SEMITRANS

Rögzítés típusa

Panel

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

7

Kapcsolási típus

20kHz

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.05V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Hossz

94mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Szélesség

34mm

Sorozat

SKM100GB12T4

Magasság

30.1mm

Járműipari szabvány

Nem

Két IGBT modul


Semikron Sivazon modulokból származó SugáriOP® IGBT-modulok széles választéka, amelyek két sorozat csatlakoztatású IGBT-eszközt tartalmaznak. A modulok feszültség- és árambesorolások széles skálájában kaphatók, és számos elektromos kapcsolási alkalmazáshoz alkalmasak, mint például az AC inverter meghajtók és a szünetmentes tápegységek.

Kis méretű SugáriOP® csomag

12 kHz-ig terjedő frekvenciaváltásra alkalmas

Szigetelt réz alaplemez közvetlen Földeléssel

IGBT modulok Semikron


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.