STMicroelectronics STGWT80H65DFB IGBT N-csatornás, 650 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P
- RS raktári szám:
- 829-7136
- Gyártó cikkszáma:
- STGWT80H65DFB
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
2348 Ft
(ÁFA nélkül)
2982 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. január 29. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 2 348 Ft |
| 10 - 99 | 1 350 Ft |
| 100 - 599 | 1 318 Ft |
| 600 + | 1 302 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 829-7136
- Gyártó cikkszáma:
- STGWT80H65DFB
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 650V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 469W | |
| Csomag típusa | TO-3P | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Kapcsolási típus | 1MHz | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | ±20 V | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 2V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Sorozat | HB | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 650V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 469W | ||
Csomag típusa TO-3P | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Kapcsolási típus 1MHz | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±20 V | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Sorozat HB | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
IGBT diszkrét, STMicroelectronics
IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Kapcsolódó linkek
- STMicroelectronics STGWT60H65DFB IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P
- STMicroelectronics IGBT N-csatornás 1 MHz TO-3P
- Toshiba GT50JR22 Diszkrét IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P
- Toshiba GT30J121 Szigetelt kapu bipoláris tranzisztor N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P
- STMicroelectronics IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P
- Toshiba GT40QR21 40 A 2.5 MHz TO-3P
- Toshiba Diszkrét IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-3P
- STMicroelectronics STGWT30H60DFB IGBT N-csatornás 600 V TO-3P