Gyártói szám

Infineon IGB10N60TATMA1 IGBT N-csatornás, 20 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Felület, TO-263

RS raktári szám:: 826-9055
Gyártó cikkszáma:: IGB10N60TATMA1
Gyártó:: Infineon

Infineon IGB10N60TATMA1 IGBT N-csatornás, 20 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Felület, TO-263

Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel

További 200 hozzáadása 27% megtakarításához

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 20 egység)*

11 618 Ft

(ÁFA nélkül)

14 754 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Átmenetileg nincsen készleten

2560 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
További 1000 egység szállítása 2026. december 17. dátumtól

Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység	Egységenként	csomagonként*	Megtakarítás
20 - 180	580,90 Ft	11 618 Ft	-
200 - 480	419,70 Ft	8 394 Ft	27%
500 - 980	369,20 Ft	7 384 Ft	36%
1000 - 1980	347,70 Ft	6 954 Ft	40%
2000 +	338,80 Ft	6 776 Ft	41%

*irányár

RS raktári szám:: 826-9055
Gyártó cikkszáma:: IGB10N60TATMA1
Gyártó:: Infineon

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	Infineon
	Terméktípus	IGBT
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic	20A
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo	600V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	110W
	Csomag típusa	TO-263
	Rögzítés típusa	Felület
	Csatorna típusa	N
	Tüskék száma	3
	Kapcsolási típus	1MHz
	Min. működési hőmérséklet	-40°C
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT	2.05V
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO	20 V
	Maximális működési hőmérséklet	175°C
	Sorozat	TrenchStop
	Szabványok/jóváhagyások	JEDEC
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka Infineon
	Terméktípus IGBT
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic 20A
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 110W
	Csomag típusa TO-263
	Rögzítés típusa Felület
	Csatorna típusa N
	Tüskék száma 3
	Kapcsolási típus 1MHz
	Min. működési hőmérséklet -40°C
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.05V
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO 20 V
	Maximális működési hőmérséklet 175°C
	Sorozat TrenchStop
	Szabványok/jóváhagyások JEDEC
	Járműipari szabvány Nem

Nem megfelelő

Infineon TrenchStop IGBT tranzisztorok, 600 és 650V

Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 600-as és 650V-os kollektorfeszültségszintekkel, TrenchStop™ technológiával. A termékskála beépített nagy sebességű, gyors helyreállást csökkentő párhuzamos diódával rendelkező eszközöket tartalmaz.

• A Kollektor feszültsége 600 és 650 V között van

Igen alacsony VCéni

• Gyenge a kikapcsolódási veszteség

• Rövid hátsó áramerősség

• Alacsony EMI

• maximális csatlakozási hőmérséklet 175 °C

IGBT diszkrét és Infineon

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.