IXYS nagy sebességű IGBT N-csatornás, 50 A, 1.2 kV, 50 kHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Minden IGBT-k megtekintése

Részösszeg (1 cső / 30 egység)*

114 000 Ft

(ÁFA nélkül)

144 780 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
A készletinformáció jelenleg nem elérhető - Kérjük, látogasson vissza később
Egység
Egységenként
csövenként*
30 +3 800 Ft114 000 Ft

*irányár

RS raktári szám:
920-1007
Gyártó cikkszáma:
IXYH50N120C3D1
Gyártó:
IXYS
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

IXYS

Terméktípus

nagy sebességű IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

50A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1.2kV

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

625W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

50kHz

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

4V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Szabványok/jóváhagyások

International Standard Package

Szélesség

16.26mm

Sorozat

GenX3TM

Hossz

20.32mm

Járműipari szabvány

Nem

Származási ország (Country of Origin):
US

IGBT diszkrét, IXYS XPT sorozat


Az IXYS-től származó különálló IGBT-k XPT™ választéka Extreme Light Pandch-Through vékony szelettechnológiát alkalmaz, amely csökkentett hőellenállást és alacsonyabb energiaveszteséget eredményez. Ezek az eszközök rövid átkapcsolási időt biztosítanak alacsony zárlati árammal, és számos ipari szabvány és egyedi csomagban kaphatók.

Nagy teljesítménysűrűség és alacsony VCE (sat)

Négyzetes eltérés Biztonságos Működési Területek (RBSOA) a névleges működési feszültségig

10usec készülék rövidzárlati teljesítménye

Pozitív bekapcsolási feszültség hőmérsékleti együttható

Opcionális tartozékként csomagolatlan Sonic-FRD™ vagy HiPerFRED™ diódák

Nemzetközi szabványos és gyártóspecifikus nagyfeszültségű csomagok

IGBT diszkrét és modulok, IXYS


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek