MOSFET, 1 elem/chip N, 30 A, 1200 V, Növekményes, 4-tüskés, Hip-247-4 SCT STMicroelectronics SCT070W120G3-4

Minden MOSFET-ek megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
214-964
Gyártó cikkszáma:
SCT070W120G3-4
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Csatorna típusa

N

Terméktípus

MOSFET

Maximális folyamatos nyelőáram Id

30A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

1200V

Csomag típusa

Hip-247-4

Sorozat

SCT

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Tüskék száma

4

Csatorna mód

Növekményes

Elemek száma chipenként

1

Származási ország (Country of Origin):
CN
Az STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET-eszközét az ST fejlett és innovatív 3. generációs SiC MOSFET-technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz a teljes hőmérséklet-tartományban nagyon alacsony RDS(be) értékkel, alacsony kapacitással és nagyon magas kapcsolási műveletekkel kombinálva javítja az alkalmazások teljesítményét a frekvencia, az energiahatékonyság, a rendszerméret és a tömeg csökkentése terén.

Nagy sebességű kapcsolási teljesítmény

Nagyon gyors és robusztus belső testdióda

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.