MOSFET N típus, 30 A, 650 V, Növekményes, 4-tüskés SCT STMicroelectronics SCT040W65G3-4
- RS raktári szám:
- 366-221
- Gyártó cikkszáma:
- SCT040W65G3-4
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
3660 Ft
(ÁFA nélkül)
4648 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- További 56 egység szállítása 2026. augusztus 03. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 3 660 Ft |
| 10 - 99 | 3 293 Ft |
| 100 + | 3 038 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 366-221
- Gyártó cikkszáma:
- SCT040W65G3-4
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Csatorna típusa | N típus | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 30A | |
| Kimenő teljesítmény | 240W | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 650V | |
| Sorozat | SCT | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Tüskék száma | 4 | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 200°C | |
| Magasság | 5.1mm | |
| Hossz | 20.1mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Csatorna típusa N típus | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 30A | ||
Kimenő teljesítmény 240W | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 650V | ||
Sorozat SCT | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Tüskék száma 4 | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 200°C | ||
Magasság 5.1mm | ||
Hossz 20.1mm | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Az STMicroelectronics szilícium-karbid Power MOSFET eszköze az ST fejlett és innovatív, 3. generációs SiC MOSFET technológiájának felhasználásával készült. Az eszköz a teljes hőmérséklet-tartományban nagyon alacsony RDS(be) értékkel, alacsony kapacitással és nagyon magas kapcsolási műveletekkel kombinálva javítja az alkalmazások teljesítményét a frekvencia, az energiahatékonyság, a rendszerméret és a tömeg csökkentése terén.
Nagyon alacsony RDS(on) a teljes hőmérséklet-tartományban
Nagy sebességű kapcsolási teljesítmény
Nagyon gyors és robusztus belső testdióda
Nagyon magas üzemi csatlakozási hőmérséklet-képesség
Forrásérzékelő csap a nagyobb hatékonyság érdekében
Kapcsolódó linkek
- AEC-Q101 MOSFET N típus 650 V 4-tüskés SCT STMicroelectronics SCT040W65G3-4AG
- MOSFET Növekményes Hip-247-4 SCT STMicroelectronics SCT070W120G3-4
- N típus AEC-Q101 MOSFET 1200 V 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics SCT SCT040W120G3-4
- N csatorna Nagy teljesítményű MOSFET 1200 V 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics Sct
- MOSFET N típus 1200 V 3-tüskés, Hip-247 SCT STMicroelectronics
- MOSFET N típus 650 V 3-tüskés, Hip-247 SCT STMicroelectronics
- MOSFET N típus 1200 V 3-tüskés, Hip-247 SCT STMicroelectronics
- MOSFET N típus 1200 V 3-tüskés, Hip-247 SCT STMicroelectronics