N AEC-Q101 MOSFET, 33 A, 1.2 kV, Növekményes, 4-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG SCTWA40N12G24AG
- RS raktári szám:
- 214-972
- Gyártó cikkszáma:
- SCTWA40N12G24AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Részösszeg (1 cső / 30 egység)*
162 333 Ft
(ÁFA nélkül)
206 163 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Utolsó RS készlet
- Utolsó 30 egység, szállításra készen áll egy másik helyről a szállításra
Egység | Egységenként | csövenként* |
|---|---|---|
| 30 + | 5 411,10 Ft | 162 333 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 214-972
- Gyártó cikkszáma:
- SCTWA40N12G24AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 33A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 1.2kV | |
| Csomag típusa | Hip-247 | |
| Sorozat | SCTWA40N12G24AG | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Tüskék száma | 4 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 105mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 22V | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 290W | |
| Továbbító feszültség Vf | 3.4V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 200°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | AEC-Q101 | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 33A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 1.2kV | ||
Csomag típusa Hip-247 | ||
Sorozat SCTWA40N12G24AG | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Tüskék száma 4 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 105mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 22V | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 290W | ||
Továbbító feszültség Vf 3.4V | ||
Maximális működési hőmérséklet 200°C | ||
Szabványok/jóváhagyások AEC-Q101 | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Az STMicroelectronics szilícium-karbid Power MOSFET eszköze az ST fejlett és innovatív, 2. generációs SiC MOSFET technológiájának felhasználásával készült. Az eszköz figyelemre méltóan alacsony felületi ellenállással és nagyon jó kapcsolási teljesítménnyel rendelkezik. A kapcsolási veszteség változása szinte független a csatlakozási hőmérséklettől.
Nagyon gyors és robusztus belső testdióda
Forrásérzékelő csap a nagyobb hatékonyság érdekében
Kapcsolódó linkek
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG
- MOSFET N 1.2 kV 3-tüskés, Hip-247 SCT STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 3-tüskés, TO-247 Infineon CoolSiC AIMW120R080M1XKSA1
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCT SCTW60N120G2
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCT SCT040W120G3AG
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCT SCT025W120G3AG
- AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV Hip-247 STMicroelectronics SCT0 SCT070W120G3AG
- AEC-Q101 MOSFET N 650 V 4-tüskés, Hip-247-4 SCT STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG