N AEC-Q101 MOSFET, 60 A, 1.2 kV, Növekményes, 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCT SCTW60N120G2

Részösszeg (1 cső / 30 egység)*

263 427 Ft

(ÁFA nélkül)

334 551 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Utolsó RS készlet
  • Utolsó 240 egység, szállításra készen áll egy másik helyről a szállításra
Egység
Egységenként
csövenként*
30 +8 780,90 Ft263 427 Ft

*irányár

RS raktári szám:
239-5529
Gyártó cikkszáma:
SCTW60N120G2
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

MOSFET

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram Id

60A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

1.2kV

Sorozat

SCT

Csomag típusa

Hip-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Tüskék száma

3

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

73mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

18V

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

94nC

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

389W

Továbbító feszültség Vf

3V

Maximális működési hőmérséklet

200°C

Magasság

5mm

Szélesség

15.6mm

Szabványok/jóváhagyások

UL

Hossz

34.8mm

Járműipari szabvány

AEC-Q101

A STMicroelectronics szilícium-karbid MOSFET készüléket az ST Advanced és az innovatív 2nd. Generációs SIC MOSFET technológia felhasználásával fejlesztették ki. A készülék rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállással rendelkezik egységenként, és nagyon jó kapcsolási teljesítményt nyújt. A kapcsolási veszteség változása szinte független az illesztési hőmérséklettől. Használható kapcsolóüzemű tápegységben, DC-DC átalakítókon és ipari motorvezérlésben.

Nagyon gyors és robusztus belső test dióda

Rendkívül alacsony kapu töltés és bemeneti kapacitás

Nagyon magas üzemi csomópont hőmérséklet képesség

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.