N AEC-Q101 MOSFET, 56 A, 1.2 kV, Növekményes, 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCT SCT025W120G3AG
- RS raktári szám:
- 215-071
- Gyártó cikkszáma:
- SCT025W120G3AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Részösszeg (1 cső / 30 egység)*
190 410 Ft
(ÁFA nélkül)
241 830 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- További 30 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | csövenként* |
|---|---|---|
| 30 + | 6 347 Ft | 190 410 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 215-071
- Gyártó cikkszáma:
- SCT025W120G3AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 56A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 1.2kV | |
| Csomag típusa | Hip-247 | |
| Sorozat | SCT | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 27mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 22V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 388W | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 73nC | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 200°C | |
| Szélesség | 15.6mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Hossz | 34.8mm | |
| Magasság | 5mm | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 56A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 1.2kV | ||
Csomag típusa Hip-247 | ||
Sorozat SCT | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 27mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 22V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 388W | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 73nC | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 200°C | ||
Szélesség 15.6mm | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Hossz 34.8mm | ||
Magasság 5mm | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
Az STMicroelectronics szilícium-karbid Power MOSFET eszköze az ST fejlett és innovatív, 3. generációs SiC MOSFET technológiájának felhasználásával készült. Az eszköz a teljes hőmérséklet-tartományban nagyon alacsony RDS(be) értékkel, alacsony kapacitással és nagyon magas kapcsolási műveletekkel kombinálva javítja az alkalmazások teljesítményét a frekvencia, az energiahatékonyság, a rendszerméret és a tömeg csökkentése terén.
Nagy sebességű kapcsolási teljesítmény
Nagyon gyors és robusztus belső testdióda
Kapcsolódó linkek
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCT SCT025W120G3AG
- AEC-Q101 MOSFET N 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247-4 SCT STMicroelectronics SCT025W120G3-4AG
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCT SCT040W120G3AG
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 3-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCT SCTW60N120G2
- N Nagy teljesítményű MOSFET 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics Sct SCT025W120G3-4
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics SCT SCT070W120G3-4AG
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics SCT SCT027W65G3-4AG
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 4-tüskés, Hip-247-4 STMicroelectronics SCT SCT015W120G3-4AG