AEC-Q101 MOSFET N, 51 A, 650 V, Növekményes, 7-tüskés, H2PAK-7 STH65N N-csatornás STMicroelectronics STH65N050DM9-7AG
- RS raktári szám:
- 481-127
- Gyártó cikkszáma:
- STH65N050DM9-7AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Részösszeg (1 tekercs / 1000 egység)*
1 652 200 Ft
(ÁFA nélkül)
2 098 300 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. április 19. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | orsónként* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1 652,20 Ft | 1 652 200 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 481-127
- Gyártó cikkszáma:
- STH65N050DM9-7AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 51A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 650V | |
| Csomag típusa | H2PAK-7 | |
| Sorozat | STH65N | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 7 | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Tranzisztorkonfiguráció | N-csatornás | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | AEC-Q101 | |
| Szélesség | 24.3mm | |
| Hossz | 15.25mm | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 51A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 650V | ||
Csomag típusa H2PAK-7 | ||
Sorozat STH65N | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 7 | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Tranzisztorkonfiguráció N-csatornás | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szabványok/jóváhagyások AEC-Q101 | ||
Szélesség 24.3mm | ||
Hossz 15.25mm | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Az STMicroelectronics N-csatornás teljesítmény-MOSFET a fejlett szuper-összeköttetéses MDmesh DM9 technológiára épül, amelyet közepes és magas feszültségű alkalmazásokhoz terveztek. Rendkívül alacsony területenkénti RDS(on) értékkel és gyors visszanyerő diódával rendelkezik, így ideális a nagy hatékonyságú kapcsoláshoz. A DM9 szilíciumtechnológia egy többszörös lefolyású gyártási eljárást alkalmaz, amely javítja az eszköz szerkezetét és teljesítményét. A nagyon alacsony helyreállítási töltés (Qrr), a gyors helyreállítási idő (trr) és az alacsony RDS(on) révén ez a MOSFET igényes híd topológiákhoz és ZVS fáziseltolású átalakítókhoz optimalizált.
Alacsony kaputöltés és ellenállás
100%-ban tesztelt lavinák
Rendkívül magas dv/dt robusztusság
Kiváló kapcsolási teljesítmény az extra meghajtóforrás-csapnak köszönhetően
AEC-Q101 minősítésű
Kapcsolódó linkek
- AEC-Q101 MOSFET N 650 V 7-tüskés, H2PAK-7 STH65N N-csatornás STMicroelectronics
- MOSFET N 650 V 7-tüskés, H2PAK SCT STMicroelectronics SCTH100N65G2-7AG
- N MOSFET 650 V 7-tüskés, H2PAK STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG
- AEC-Q101 MOSFET N 650 V 7-tüskés, HU3PAK STHU65 N-csatornás STMicroelectronics
- AEC-Q101 MOSFET N 650 V 7-tüskés, HU3PAK STHU65 N-csatornás STMicroelectronics STHU65N050DM9AG
- MOSFET N 650 V 7-tüskés, H2PAK SCT STMicroelectronics
- N MOSFET 650 V 7-tüskés, H2PAK STMicroelectronics
- AEC-Q101 MOSFET N 1200 V 7-tüskés, H2PAK-7 SCT025H120G3AG STMicroelectronics SCT025H120G3AG