AEC-Q101 MOSFET N, 55 A, 1.2 kV, Növekményes, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT025H120G3AG STMicroelectronics SCT025H120G3AG

Minden MOSFET-ek megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Sajnáljuk, nem tudjuk, mikor lesz újra készleten.
RS raktári szám:
214-951
Gyártó cikkszáma:
SCT025H120G3AG
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Csatorna típusa

N

Terméktípus

MOSFET

Maximális folyamatos nyelőáram Id

55A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

1.2kV

Csomag típusa

H2PAK-7

Sorozat

SCT025H120G3AG

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

7

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

27mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

22V

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

73nC

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

375W

Továbbító feszültség Vf

2.7V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Magasság

4.8mm

Hossz

15.25mm

Szabványok/jóváhagyások

AEC-Q101, RoHS

Szélesség

10.4mm

Járműipari szabvány

AEC-Q101

Származási ország (Country of Origin):
CN
Az STMicroelectronics szilícium-karbid Power MOSFET eszköze az ST fejlett és innovatív, 3. generációs SiC MOSFET technológiájának felhasználásával készült. Az eszköz a teljes hőmérséklet-tartományban nagyon alacsony RDS(be) értékkel, alacsony kapacitással és nagyon magas kapcsolási műveletekkel kombinálva javítja az alkalmazások teljesítményét a frekvencia, az energiahatékonyság, a rendszerméret és a tömeg csökkentése terén.

Nagy sebességű kapcsolási teljesítmény

Nagyon gyors és robusztus belső testdióda

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.