AEC-Q101 MOSFET N, 55 A, 1.2 kV, Növekményes, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT025H120G3AG STMicroelectronics SCT025H120G3AG

Minden MOSFET-ek megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Sajnáljuk, nem tudjuk, mikor lesz újra készleten.
RS raktári szám:
214-951
Gyártó cikkszáma:
SCT025H120G3AG
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Járműipari szabvány

AEC-Q101

Terméktípus

MOSFET

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram (Id)

55 A

Maximális nyelő forrásfeszültség (Vds)

1.2 kV

Csatorna mód

Növekményes

Tüskék száma

7

Csomag típusa

H2PAK-7

Sorozat

SCT025H120G3AG

Továbbító feszültség (Vf)

2.7 V

Magasság

4.8 mm

Hossz

15.25 mm

Maximális nyelő forrásellenállás (Rds)

27 mΩ

Maximális kapuforrás-feszültség (Vgs)

22 V

Maximális működési hőmérséklet

175 °C

Maximális teljesítménydisszipáció (Pd)

375 W

Min. működési hőmérséklet

-55 °C

Rögzítés típusa

Felület

Szabványok/jóváhagyások

AEC-Q101, RoHS

Tipikus kaputöltés (Qg) @ Vgs

73 nC

Szélesség

10.4 mm

Származási ország (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.