N Egyszeres MOSFET-ek, 81 A, 100 V, Növekményes, 8-tüskés, PowerPAK Vishay SiR870BDP SIR870BDP-T1-UE3
- RS raktári szám:
- 653-199
- Gyártó cikkszáma:
- SIR870BDP-T1-UE3
- Gyártó:
- Vishay
Részösszeg (1 tekercs / 3000 egység)*
1 420 800 Ft
(ÁFA nélkül)
1 804 500 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Utolsó RS készlet
- Utolsó 6000 egység, szállításra készen áll egy másik helyről a szállításra
Egység | Egységenként | orsónként* |
|---|---|---|
| 3000 + | 473,60 Ft | 1 420 800 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 653-199
- Gyártó cikkszáma:
- SIR870BDP-T1-UE3
- Gyártó:
- Vishay
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Vishay | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | Egyszeres MOSFET-ek | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 81A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 100V | |
| Sorozat | SiR870BDP | |
| Csomag típusa | PowerPAK | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 8 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 0.0061Ω | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.1V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 100W | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 20V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Magasság | 610μm | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Szélesség | 5.15mm | |
| Hossz | 6.15mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Vishay | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus Egyszeres MOSFET-ek | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 81A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 100V | ||
Sorozat SiR870BDP | ||
Csomag típusa PowerPAK | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 8 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 0.0061Ω | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Továbbító feszültség Vf 1.1V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 100W | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 20V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Magasság 610μm | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Szélesség 5.15mm | ||
Hossz 6.15mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
A Vishay N-csatornás MOSFET-et kompakt tápellátási rendszerek nagy hatékonyságú kapcsolására tervezték. Akár 100 V-os leeresztési forrásfeszültséget is támogat. A PowerPAK SO-8 csomagolásban a TrenchFET Gen IV technológiát használja az alacsony RDS(on), a gyors kapcsolás és az optimalizált hőteljesítmény érdekében.
Pb mentes
Halogénmentes
RoHS megfelelőségű
Kapcsolódó linkek
- N Egyszeres MOSFET-ek 100 V 8-tüskés, PowerPAK Vishay SiR870BDP
- N MOSFET 100 V 8-tüskés, SO-8 Vishay SiR870BDP SiR870BDP-T1-RE3
- N Egyszeres MOSFET-ek 80 V 8-tüskés, P Vishay SI SIR580DP-T1-UE3
- N Egyszeres MOSFET-ek 80 V 8-tüskés, P Vishay SI SIR580LDP-T1-UE3
- N Egyszeres MOSFET-ek 80 V 8-tüskés, P Vishay SIR SIR680ADP-T1-UE3
- N Egyszeres MOSFET-ek 80 V 8-tüskés, P Vishay SISS SISS128LDN-T1-UE3
- N Egyszeres MOSFET-ek 70 V 8-tüskés, PowerPAK Vishay SISS178LDN SISS178LDN-T1-UE3
- N Egyszeres MOSFET-ek 70 V 8-tüskés, PowerPAK Vishay SISS176LDN SISS176LDN-T1-UE3