N Egyszeres MOSFET-ek, 33.7 A, 80 V, Fokozási mód, 8-tüskés, P Vishay SISS SISS128LDN-T1-UE3

Minden MOSFET-ek megtekintése
Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel

További 10 hozzáadása 36% megtakarításához

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

611 Ft

(ÁFA nélkül)

776 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
A készletinformáció jelenleg nem elérhető - Kérjük, látogasson vissza később

Egység
Egységenként
Megtakarítás
1 - 9611 Ft-
10 - 99386 Ft36%
100 - 499251 Ft58%
500 - 999199 Ft67%
1000 +176 Ft71%

*irányár

RS raktári szám:
829-346
Gyártó cikkszáma:
SISS128LDN-T1-UE3
Gyártó:
Vishay
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Vishay

Terméktípus

Egyszeres MOSFET-ek

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram Id

33.7A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

80V

Sorozat

SISS

Csomag típusa

P

Rögzítés típusa

Felületre szerelt

Tüskék száma

8

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

0.0156Ω

Csatorna mód

Fokozási mód

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

20V

Továbbító feszültség Vf

1.2V

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

13.5nC

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

39W

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Szélesség

3.3mm

Szabványok/jóváhagyások

RoHS Compliant

Hossz

3.3mm

Magasság

1.04mm

Járműipari szabvány

Nem

Származási ország (Country of Origin):
IL
A Vishay nagy teljesítményű N-csatornás MOSFET-et a hatékony energiagazdálkodáshoz tervezték kompakt csomagban, biztosítva a megbízható működést különböző igényes alkalmazásokban.

A TrenchFET Gen IV technológia javítja a hatékonyságot és a termikus teljesítményt

Alacsony RDS(on) értékek, optimalizálva a vezetési veszteségeket működés közben

Nagy megbízhatóságot teszteltek 100%-os R és UIS terhelésű egységekkel

Robusztus specifikációk 80 V-os leeresztő-forrás névleges feszültséggel és 33,7 A maximális áramerősséggel

Kapcsolódó linkek