P-csatornás Nagy teljesítményű MOSFET, 6 A, 700 V, Növekményes, 2-tüskés, TO-252 STMicroelectronics G-HEMT SGT350R70GTK
- RS raktári szám:
- 719-638
- Gyártó cikkszáma:
- SGT350R70GTK
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel
További 10 hozzáadása 3340 Ft megtakarításához
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
945 Ft
(ÁFA nélkül)
1200 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- További 173 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | Megtakarítás |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 945 Ft | - |
| 10 - 99 | 611 Ft | 3340 Ft |
| 100 - 499 | 420 Ft | 52 500 Ft |
| 500 - 999 | 338 Ft | 303 500 Ft |
| 1000 + | 315 Ft | 630 000 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 719-638
- Gyártó cikkszáma:
- SGT350R70GTK
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Terméktípus | Nagy teljesítményű MOSFET | |
| Csatorna típusa | P-csatornás | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 6A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 700V | |
| Sorozat | G-HEMT | |
| Csomag típusa | TO-252 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 2 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 350mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 47W | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | -1.4V, 7V | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Hossz | 6.2mm | |
| Szélesség | 6.7mm | |
| Magasság | 2.4mm | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Terméktípus Nagy teljesítményű MOSFET | ||
Csatorna típusa P-csatornás | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 6A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 700V | ||
Sorozat G-HEMT | ||
Csomag típusa TO-252 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 2 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 350mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 47W | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs -1.4V, 7V | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Hossz 6.2mm | ||
Szélesség 6.7mm | ||
Magasság 2.4mm | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Az STMicroelectronics 700 V 6 A-es e-mode PowerGaN tranzisztora jól bevált csomagolási technológiával kombinálva. Az így kapott G-HEMT eszköz rendkívül alacsony vezetési veszteségeket, nagy áramerősséget és rendkívül gyors kapcsolási működést biztosít a nagy teljesítmény-sűrűség és a verhetetlen hatékonyság érdekében. Nulla áramú bekapcsolású fogyasztói QR alkalmazásokhoz ajánlott.
Továbbfejlesztési mód normál kikapcsolású tranzisztor
Nagyon nagy kapcsolási sebesség
Magas energiagazdálkodási képesség
Rendkívül alacsony kapacitás
Kelvin forráspárna az optimális kapuvezetéshez
Nulla fordított helyreállítási töltés
ESD-védelem
Kapcsolódó linkek
- P-csatornás Nagy teljesítményű MOSFET 700 V 2-tüskés, TO-252 STMicroelectronics G-HEMT SGT350R70GTK
- P-csatornás Tranzisztor 700 V 8-tüskés, PowerFLAT STMicroelectronics G-HEMT SGT105R70ILB
- P-csatornás Tranzisztor 700 V 8-tüskés, PowerFLAT STMicroelectronics G-HEMT SGT240R70ILB
- P-csatornás Tranzisztor 700 V 8-tüskés, PowerFLAT STMicroelectronics G-HEMT SGT140R70ILB
- P-csatornás Tranzisztor 700 V 13-tüskés, TO-LL STMicroelectronics G-HEMT SGT070R70HTO
- P-csatornás Tranzisztor 700 V 8-tüskés, PowerFLAT STMicroelectronics G-HEMT SGT080R70ILB
- P-csatornás Tranzisztor 700 V 8-tüskés, PowerFLAT STMicroelectronics G-HEMT SGT190R70ILB
- MOSFET 750 V 4-tüskés, Tekercs STMicroelectronics G-HEMT