N MOSFET, 60 A, 30 V, Növekményes, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Vishay TrenchFET SiRA10BDP-T1-GE3
- RS raktári szám:
- 735-112
- Gyártó cikkszáma:
- SiRA10BDP-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay
Csak a termékválasztékot bemutató kép
Részösszeg (1 szalag / 1 egység)*
413 Ft
(ÁFA nélkül)
525 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- További 5994 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Tekercs(ek) | tekercsenként |
|---|---|
| 1 + | 413 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 735-112
- Gyártó cikkszáma:
- SiRA10BDP-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Vishay | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 60A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 30V | |
| Sorozat | TrenchFET | |
| Csomag típusa | PowerPAK SO-8 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 8 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 0.005Ω | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 24.1nC | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 43W | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 20V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Hossz | 6.25mm | |
| Szélesség | 5.3mm | |
| Magasság | 1.1mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS Compliant | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Vishay | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 60A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 30V | ||
Sorozat TrenchFET | ||
Csomag típusa PowerPAK SO-8 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 8 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 0.005Ω | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 24.1nC | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 43W | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 20V | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Hossz 6.25mm | ||
Szélesség 5.3mm | ||
Magasság 1.1mm | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS Compliant | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- TW
A Vishay N-csatornás MOSFET-et hatékony és megbízható teljesítménykapcsolásra tervezték a nagy teljesítményű teljesítményelektronikában. teljesen Rg és UIS tesztelve, hogy biztosítsa a robusztusságot elektromos feszültség és igényes üzemi körülmények között. Alacsony veszteségre és gyors kapcsolásra optimalizálva támogatja a kompakt, nagy teljesítménysűrűségű kialakításokat, miközben megfelel a RoHS-konform és halogénmentes követelményeknek.
100 százalékos Rg és UIS tesztelést biztosít az eszköz bizonyított megbízhatósága érdekében
Támogatja a nagy teljesítménysűrűségű DC/DC átalakító alkalmazásokat
Hatékony szinkron egyenirányítási teljesítményt tesz lehetővé
Megfelel a RoHS-szabványoknak és a halogénmentes követelményeknek
Kapcsolódó linkek
- N MOSFET 30 V 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Vishay TrenchFET SiRA18BDP-T1-GE3
- N MOSFET 30 V 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Vishay TrenchFET SiRA12BDP-T1-GE3
- N MOSFET 30 V 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Vishay TrenchFET SIRA14BDP-T1-GE3
- P típus MOSFET 20 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SIR401DP-T1-GE3
- N MOSFET 25 V 4-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SiJA22DP-T1-GE3
- N MOSFET 25 V 4-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET
- N MOSFET 30 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SIRA14DP-T1-GE3
- N MOSFET 30 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SIRA88DP-T1-GE3