P típus MOSFET, 50 A, 20 V, Növekményes, 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SIR401DP-T1-GE3

Részösszeg (1 csomag / 5 egység)*

1772 Ft

(ÁFA nélkül)

2251 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • További 2595 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
csomagonként*
5 +354,40 Ft1 772 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
787-9342
Gyártó cikkszáma:
SIR401DP-T1-GE3
Gyártó:
Vishay
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Vishay

Csatorna típusa

P típus

Terméktípus

MOSFET

Maximális folyamatos nyelőáram Id

50A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

20V

Csomag típusa

SO-8

Sorozat

TrenchFET

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

8

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

7.7mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

39W

Továbbító feszültség Vf

-1.1V

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

-12V, +12V

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

205nC

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Magasság

1.12mm

Szélesség

5.26mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Hossz

6.25mm

Járműipari szabvány

Nem

P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET tranzisztorok, Vishay Semiconductor


Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.