N MOSFET, 50.3 A, 80 V, N, 8-tüskés, 1212-8S Vishay SiSS SISS32ADN-T1-UE3
- RS raktári szám:
- 878-901
- Gyártó cikkszáma:
- SISS32ADN-T1-UE3
- Gyártó:
- Vishay
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 szalag / 1 egység)*
758 Ft
(ÁFA nélkül)
963 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. december 13. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Tekercs(ek) | tekercsenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 758 Ft |
| 10 - 99 | 356 Ft |
| 100 - 499 | 319 Ft |
| 500 - 999 | 251 Ft |
| 1000 + | 240 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 878-901
- Gyártó cikkszáma:
- SISS32ADN-T1-UE3
- Gyártó:
- Vishay
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Vishay | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 50.3A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 80V | |
| Sorozat | SiSS | |
| Csomag típusa | 1212-8S | |
| Rögzítés típusa | Felületre szerelt | |
| Tüskék száma | 8 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 0.0087Ω | |
| Csatorna mód | N | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 65.7W | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 20V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szélesség | 3.4mm | |
| Magasság | 830μm | |
| Hossz | 3.4mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Vishay | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 50.3A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 80V | ||
Sorozat SiSS | ||
Csomag típusa 1212-8S | ||
Rögzítés típusa Felületre szerelt | ||
Tüskék száma 8 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 0.0087Ω | ||
Csatorna mód N | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 65.7W | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 20V | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szélesség 3.4mm | ||
Magasság 830μm | ||
Hossz 3.4mm | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- IL
A Vishay félvezető egy robusztus N-csatornás MOSFET, amelyet hatékony energiagazdálkodásra terveztek, alacsony bekapcsolt állapotú ellenállással és fokozott termikus teljesítménnyel rendelkezik az igényes működési környezetekhez.
A TrenchFET Gen IV technológia kiváló hatékonyságot biztosít
A nagyon alacsony RDS(on) csökkenti a teljesítményveszteséget működés közben
A kapu-forrás küszöbfeszültség garantálja a megbízható kapcsolást
A széles hőmérséklet-tartomány biztosítja a működést különböző körülmények között
A csomagolás kialakítása lehetővé teszi az áramköri elrendezésekbe való egyszerűsített integrációt
Kapcsolódó linkek
- N MOSFET 80 V 8-tüskés, 1212-8S Vishay SiSS SISS32ADN-T1-BE3
- N MOSFET 30 V 8-tüskés, 1212-8S Vishay SISS SISS52DN-T1-UE3
- N MOSFET 60 V 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Vishay SISS26DN SISS26DN-T1-UE3
- N MOSFET 80 V 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Vishay TrenchFET SISS586DN-T1-UE3
- N MOSFET 100 V 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Vishay TrenchFET SISS516DN-T1-UE3
- N MOSFET 30 V 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Vishay SISS64DN SISS64DN-T1-UE3
- P-csatornás MOSFET -20 V 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Vishay TrenchFET SISS5207DN-T1-UE3
- N Egyszeres MOSFET-ek 80 V 8-tüskés, P Vishay SISS SISS128LDN-T1-UE3
