N MOSFET, 52 A, 200 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-263 onsemi UniFET
- RS raktári szám:
- 166-2543
- Gyártó cikkszáma:
- FDB52N20TM
- Gyártó:
- onsemi
Részösszeg (1 tekercs / 800 egység)*
413 440 Ft
(ÁFA nélkül)
525 040 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Ellátási hiány
- 800 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Jelenlegi készletünk korlátozott és beszállítóink hiányra számítanak.
Egység | Egységenként | orsónként* |
|---|---|---|
| 800 + | 516,80 Ft | 413 440 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 166-2543
- Gyártó cikkszáma:
- FDB52N20TM
- Gyártó:
- onsemi
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | onsemi | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 52A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 200V | |
| Csomag típusa | TO-263 | |
| Sorozat | UniFET | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 49mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 357W | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 49nC | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.4V | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | -30V, +30V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szélesség | 10.16mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Hossz | 9.98mm | |
| Magasság | 4.572mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka onsemi | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 52A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 200V | ||
Csomag típusa TO-263 | ||
Sorozat UniFET | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 49mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 357W | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 49nC | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Továbbító feszültség Vf 1.4V | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs -30V, +30V | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szélesség 10.16mm | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Hossz 9.98mm | ||
Magasság 4.572mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor
Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MOS technológiával történik. Ezt a nagy sűrűségű eljárást úgy tervezték, hogy a lehető legkisebb legyen az állapot ellenállása, továbbá robusztus és megbízható teljesítményt és gyors kapcsolást biztosítson.
MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS
A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Kapcsolódó linkek
- N MOSFET 200 V 3-tüskés, TO-263 onsemi UniFET FDB52N20TM
- N MOSFET 300 V 3-tüskés, TO-263 onsemi UniFET
- N MOSFET 250 V 3-tüskés, TO-263 onsemi UniFET
- N MOSFET 250 V 3-tüskés, TO-263 onsemi UniFET
- N MOSFET 500 V 3-tüskés, TO-263 onsemi UniFET
- N MOSFET 60 V 3-tüskés, TO-263 onsemi QFET FQB50N06LTM
- N MOSFET 300 V 3-tüskés, TO-263 onsemi UniFET FDB28N30TM
- N MOSFET 250 V 3-tüskés, TO-263 onsemi UniFET FDB44N25TM