MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) UniFET Egyszeres Si

RS raktári szám:: 759-8989
Gyártó cikkszáma:: FDB44N25TM
Gyártó:: onsemi

MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) UniFET Egyszeres Si

Kategória megtekintése

Elnézését kérjük, raktárkészletünk állománya jelenleg nem ellenőrizhető. Kérjük, próbálja meg frissíteni az oldalt.

Ezek a termékek standard szállítással, standard szállítási költséggel kerülnek elküldésre.

Ár Darab (2 darabos csomagbol)

737 Ft

(ÁFA nélkül)

936 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként	csomagonként*
2 - 8	737 Ft	1 474 Ft
10 - 98	628 Ft	1 255 Ft
100 - 248	489 Ft	977 Ft
250 - 498	474 Ft	947 Ft
500 +	413 Ft	826 Ft

*ár

RS raktári szám:: 759-8989
Gyártó cikkszáma:: FDB44N25TM
Gyártó:: onsemi

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

UnilFET™ N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor

A UniverFET™ MOSFET a Fairchild Semiconductor nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládja. A legkorszerűbb MOSFET-ek között a legkisebb ellenállási erő, valamint kiváló kapcsolási teljesítmény és nagyobb lavinaenergia-erő jellemzi. Ezen kívül a belső Gate-source ESD dióda lehetővé teszi, hogy az UnFET-II™ MOSFET elviselje a 2000 V feletti HBM túlfeszültséget.
Az UniFET™ MOSFET-ek alkalmasak teljesítmény-konverter alkalmazások, például teljesítménytényező-korrekció (PFC), síkképernyős kijelző (FPD) TV-tápellátás, ATX (Advanced Technology bővített) és elektronikus fénycsőelőtétek kapcsolására.

MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS

A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Csatorna típusa	N
Maximális folyamatos nyelőáram	44 A
Maximális nyelő forrásfeszültség	250 V
Csomag típusa	D2PAK (TO-263)
Sorozat	UniFET
Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
Tüskék száma	3
Maximális nyelő forrásellenállás	69 mΩ
Csatorna mód	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség	3V
Maximális teljesítménydisszipáció	307 W
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Szélesség	11.33mm
Maximális működési hőmérséklet	+150 °C
Elemek száma chipenként	1
Tranzisztor anyaga	Si
Hossz	10.67mm
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél	47 nC 10 V esetén
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Magasság	4.83mm