N MOSFET, 60 A, 60 V, Növekményes, 8-tüskés, SO-8 Vishay Siliconix TrenchFET SiR188DP-T1-RE3
- RS raktári szám:
- 178-3687
- Gyártó cikkszáma:
- SiR188DP-T1-RE3
- Gyártó:
- Vishay Siliconix
Részösszeg (3000 egység, 3000 darabos tekercsen)*
545 700 Ft
(ÁFA nélkül)
693 000 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. október 29. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | orsónként* |
|---|---|---|
| 3000 + | 181,90 Ft | 545 700 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 178-3687
- Gyártó cikkszáma:
- SiR188DP-T1-RE3
- Gyártó:
- Vishay Siliconix
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Vishay Siliconix | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 60A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 60V | |
| Sorozat | TrenchFET | |
| Csomag típusa | SO-8 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 8 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 4mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 20V | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.1V | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 65.7W | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Hossz | 5.99mm | |
| Szélesség | 5mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Magasság | 1.07mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Vishay Siliconix | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 60A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 60V | ||
Sorozat TrenchFET | ||
Csomag típusa SO-8 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 8 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 4mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 20V | ||
Továbbító feszültség Vf 1.1V | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 65.7W | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Hossz 5.99mm | ||
Szélesség 5mm | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Magasság 1.07mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
Kivétel
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM)
A legkisebb RDS-Qoss FOM-tényezőhöz hangolva
Kapcsolódó linkek
- N MOSFET 60 V 8-tüskés, SO-8 Vishay Siliconix TrenchFET SiR188DP-T1-RE3
- N MOSFET 250 V 8-tüskés, SO-8 Vishay Siliconix TrenchFET Si7190ADP-T1-RE3
- N MOSFET 60 V 8-tüskés, PowerPAK Vishay TrenchFET SIRS4614EPW-T1-RE3
- MOSFET N 60 V 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Vishay SiR186LDP-T1-RE3
- P típus MOSFET 80 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SiR681DP-T1-RE3
- N AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET 80 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SIDR178DP-T1-RE3
- N MOSFET 45 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET Gen IV SIR150DP-T1-RE3
- P típus MOSFET 80 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SI7469ADP-T1-RE3