N MOSFET, 14.2 A, 100 V, Növekményes, 8-tüskés, PowerPAK 1212 Vishay SiS110DN SiS110DN-T1-GE3

RS raktári szám:: 178-3693
Gyártó cikkszáma:: SiS110DN-T1-GE3
Gyártó:: Vishay

N MOSFET, 14.2 A, 100 V, Növekményes, 8-tüskés, PowerPAK 1212 Vishay SiS110DN SiS110DN-T1-GE3

Jelenleg nem elérhető

Sajnáljuk, nem tudjuk, mikor lesz újra készleten.

RS raktári szám:: 178-3693
Gyártó cikkszáma:: SiS110DN-T1-GE3
Gyártó:: Vishay

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	Vishay
	Terméktípus	MOSFET
	Csatorna típusa	N
	Maximális folyamatos nyelőáram Id	14.2A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds	100V
	Csomag típusa	PowerPAK 1212
	Sorozat	SiS110DN
	Rögzítés típusa	Felület
	Tüskék száma	8
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds	70mΩ
	Csatorna mód	Növekményes
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	24W
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs	8.5nC
	Min. működési hőmérséklet	-55°C
	Továbbító feszültség Vf	1.2V
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs	20V
	Maximális működési hőmérséklet	150°C
	Szabványok/jóváhagyások	RoHS
	Szélesség	3.15mm
	Hossz	3.15mm
	Magasság	1.07mm
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka Vishay
	Terméktípus MOSFET
	Csatorna típusa N
	Maximális folyamatos nyelőáram Id 14.2A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 100V
	Csomag típusa PowerPAK 1212
	Sorozat SiS110DN
	Rögzítés típusa Felület
	Tüskék száma 8
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds 70mΩ
	Csatorna mód Növekményes
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 24W
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 8.5nC
	Min. működési hőmérséklet -55°C
	Továbbító feszültség Vf 1.2V
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 20V
	Maximális működési hőmérséklet 150°C
	Szabványok/jóváhagyások RoHS
	Szélesség 3.15mm
	Hossz 3.15mm
	Magasság 1.07mm
	Járműipari szabvány Nem

Datasheet

Kivétel

Származási ország (Country of Origin):: CN

Vishay SiS110DN sorozatú MOSFET, 100 V leeresztő forrásfeszültség, 14,2 A folyamatos leeresztő áram – SiS110DN-T1-GE3

Ez a MOSFET egy felületre szerelhető N-csatornás tranzisztor, amelyet kompakt elektronikus szerelvények kapcsolására és teljesítménykezelésére terveztek. Széles környezeti tartományban működik, és olyan alkalmazásokhoz tervezték, amelyek a hatékony vezérlés érdekében a feszültségkezelés, az áramerősség és a mérsékelt kaputöltés egyensúlyát igénylik.

Jellemzők és előnyök:

• Az 100 V-os leeresztési tűrés nagyfeszültségű kapcsolási képességet tesz lehetővé
• A 70 mΩ-os alacsony RDS(on) csökkenti a vezetési veszteségeket
• a 14,2 A folyamatos leeresztési áramerősség támogatja a jelentős terhelési áramokat
• A 24 W-os teljesítményelnyelés tartós teljesítménykezelést tesz lehetővé
• A 8,5 nC jellemző kaputöltés megkönnyíti az érzékeny kapuvezérlést
• A ±20 V kapu-forrás névleges értéke robusztus kapu-feszültség tartományt biztosít

Alkalmazások

• Alkalmas DC-DC átalakító kapcsolási fázisaihoz
• Ideális motormeghajtó alacsony oldali kapcsolásához
• Szinkron egyenirányítással használható tápegységekben
• Használható a telekommunikációs berendezések terheléskapcsolásához
• Alkalmas akkumulátorkezeléshez és áramelosztáshoz

Milyen hőmérsékleti tartományra számíthatok a megbízható működés érdekében?

Az eszközt -55 °C és 150 °C közötti hőmérsékletre tervezték, így nagy hőmérséklet-ingadozó környezetekben is használható.

Hogyan támogatja a csomag a NYÁK összeszerelését és hűtését?

Kompakt PowerPAK1212 csomagban kapható az alacsony profilú felületre szerelhető elhelyezéshez és a NYÁK-ra történő ésszerű hőátadáshoz.

Milyen kapumeghajtási megfontolások vonatkoznak a kaputöltés fényében?

A 8,5 nC-os jellemző kaputöltésnek köszönhetően a kapumeghajtóknak elegendő áramerősséget kell biztosítaniuk a kívánt sebességű kapcsoláshoz, túlzott meghajtási veszteség nélkül.

Vannak-e szabályozási korlátozások ezzel az alkatrésszel kapcsolatban?

Az alkatrész megfelel az elektronikus szerelvényekben lévő korlátozott anyagokra vonatkozó RoHS-követelményeknek.