N Egyszeres MOSFET-ek, 14.2 A, 100 V, Fokozási mód, 8-tüskés, P Vishay SISS SISS110DN-T1-GE3
- RS raktári szám:
- 829-345
- Gyártó cikkszáma:
- SISS110DN-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
386 Ft
(ÁFA nélkül)
490 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. december 13. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 386 Ft |
| 10 - 99 | 240 Ft |
| 100 - 499 | 158 Ft |
| 500 - 999 | 120 Ft |
| 1000 + | 109 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 829-345
- Gyártó cikkszáma:
- SISS110DN-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Vishay | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | Egyszeres MOSFET-ek | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 14.2A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 100V | |
| Csomag típusa | P | |
| Sorozat | SISS | |
| Rögzítés típusa | Felületre szerelt | |
| Tüskék száma | 8 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 0.054Ω | |
| Csatorna mód | Fokozási mód | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 24W | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 20V | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.2V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szélesség | 3.3mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS Compliant | |
| Hossz | 3.3mm | |
| Magasság | 1.04mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Vishay | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus Egyszeres MOSFET-ek | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 14.2A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 100V | ||
Csomag típusa P | ||
Sorozat SISS | ||
Rögzítés típusa Felületre szerelt | ||
Tüskék száma 8 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 0.054Ω | ||
Csatorna mód Fokozási mód | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 24W | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 20V | ||
Továbbító feszültség Vf 1.2V | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szélesség 3.3mm | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS Compliant | ||
Hossz 3.3mm | ||
Magasság 1.04mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- IL
A Vishay N-csatornás MOSFET hatékony energiagazdálkodási megoldásokat kínál kiváló vezetési képességekkel. Igényes alkalmazásokhoz tervezve kiváló kapcsolási és termikus teljesítményt nyújt.
TrenchFET Gen IV technológiával a kiváló hatékonyság és teljesítmény érdekében
Garantált 100%-os RDS(on) és UIS tesztelve a működés megbízhatósága érdekében
A folyamatos 11 A-os névleges leeresztési áramerősség biztosítja a robusztus szállítást
Optimalizálva az alacsony RDS(on) értékekhez, javítva a termikus teljesítményt
Kapcsolódó linkek
- N Egyszeres MOSFET-ek 60 V 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SLW Vishay SISS SISS4634LDN-T1-GE3
- N Egyszeres MOSFET-ek 30 V 6-tüskés, P Vishay SI SIA432BDJ-T1-GE3
- N Egyszeres MOSFET-ek 80 V 8-tüskés, P Vishay SISS SISS128LDN-T1-UE3
- N MOSFET 100 V 8-tüskés, PowerPAK 1212 Vishay SiS110DN SiS110DN-T1-GE3
- N Egyszeres MOSFET-ek 20 V 8-tüskés, PowerPAK Vishay SISS5208DN
- N Egyszeres MOSFET-ek 80 V 8-tüskés, PowerPAK Vishay SISS5812DN
- N Egyszeres MOSFET-ek 30 V 8-tüskés, PowerPAK Vishay SIRA12DDP
- N Egyszeres MOSFET-ek 100 V 7-tüskés, PowerPAK Vishay SIB4122DK