Nagy teljesítményű MOSFET, 2 elem/chip N, 30 A, 30 V, Növekményes, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3 TrenchFET Vishay Siliconix

Minden MOSFET-ek megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
178-3932
Gyártó cikkszáma:
SiZ348DT-T1-GE3
Gyártó:
Vishay Siliconix
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Vishay Siliconix

Terméktípus

Nagy teljesítményű MOSFET

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram Id

30A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

30V

Sorozat

TrenchFET

Csomag típusa

PowerPAIR 3 x 3

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

8

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

10mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

-16V, +20V

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

12.1nC

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

16.7W

Továbbító feszültség Vf

1.2V

Tranzisztorkonfiguráció

Kettős

Maximális működési hőmérséklet

+150°C

Magasság

750μm

Hossz

3mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Szélesség

3mm

Elemek száma chipenként

2

Járműipari szabvány

Nem

Kivétel

Származási ország (Country of Origin):
TW
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

A magas oldali és az alacsony oldali MOSFET-tranzisztorok optimalizált kombinációt alkotnak az 50%-os működési ciklus érdekében

Az optimalizált RDS-Qg és RDS-Qgd FOM-tényező növeli a hatékonyságot a nagyfrekvenciájú kapcsoláshoz

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.