SiC teljesítménymodul N, 55 A, 1.2 kV, Növekményes, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH50N120-7 STMicroelectronics SCTH50N120-7

Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
204-3954
Gyártó cikkszáma:
SCTH50N120-7
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

SiC teljesítménymodul

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram (Id)

55 A

Maximális nyelő forrásfeszültség (Vds)

1.2 kV

Csatorna mód

Növekményes

Tüskék száma

7

Csomag típusa

H2PAK-7

Sorozat

SCTH50N120-7

Maximális nyelő forrásellenállás (Rds)

0.065 Ω

Rögzítés típusa

Felület

Származási ország (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.

Very tight variation of on-resistance vs.

temperature

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.