SiC teljesítménymodul N, 55 A, 1200 V, Növekményes, 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCTH50N120-7

Minden MOSFET-ek megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
204-3954
Gyártó cikkszáma:
SCTH50N120-7
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

SiC teljesítménymodul

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram Id

55A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

1200V

Csomag típusa

H2PAK-7

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

7

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

0.065Ω

Csatorna mód

Növekményes

Származási ország (Country of Origin):
CN
Az STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET-je a széles sávszakadékú anyagok fejlett, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan bekapcsolt ellenállást eredményez egységnyi területenként és nagyon jó kapcsolási teljesítményt szinte a hőmérséklettől függetlenül.

Nagyon szűk változás a bekapcsolt ellenállás és a

hőmérséklet

Nagyon gyors és robusztus belső testdióda

Alacsony kapacitás

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.