N AEC-Q101 MOSFET, 55 A, 1200 V, Növekményes, 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT025H120G3AG SCT025H120G3AG
- RS raktári szám:
- 214-952
- Gyártó cikkszáma:
- SCT025H120G3AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
6203 Ft
(ÁFA nélkül)
7878 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- További 358 egység szállítása 2026. október 07. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 6 203 Ft |
| 10 - 99 | 6 105 Ft |
| 100 - 999 | 6 030 Ft |
| 1000 + | 5 959 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 214-952
- Gyártó cikkszáma:
- SCT025H120G3AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 55A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 1200V | |
| Csomag típusa | H2PAK-7 | |
| Sorozat | SCT025H120G3AG | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 7 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 27mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Továbbító feszültség Vf | 2.7V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 22V | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 375W | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Hossz | 15.25mm | |
| Szélesség | 10.4mm | |
| Magasság | 4.8mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | AEC-Q101, RoHS | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 55A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 1200V | ||
Csomag típusa H2PAK-7 | ||
Sorozat SCT025H120G3AG | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 7 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 27mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Továbbító feszültség Vf 2.7V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 22V | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 375W | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Hossz 15.25mm | ||
Szélesség 10.4mm | ||
Magasság 4.8mm | ||
Szabványok/jóváhagyások AEC-Q101, RoHS | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
Az STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET-eszközét az ST fejlett és innovatív 3. generációs SiC MOSFET-technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz a teljes hőmérséklet-tartományban nagyon alacsony RDS(be) értékkel, alacsony kapacitással és nagyon magas kapcsolási műveletekkel kombinálva javítja az alkalmazások teljesítményét a frekvencia, az energiahatékonyság, a rendszerméret és a tömeg csökkentése terén.
Nagy sebességű kapcsolási teljesítmény
Nagyon gyors és robusztus belső testdióda
Kapcsolódó linkek
- AEC-Q101 MOSFET N 1200 V 7-tüskés, H2PAK-7 SCT025H120G3AG STMicroelectronics SCT025H120G3AG
- AEC-Q101 MOSFET 1200 V, H2PAK-7 SCT STMicroelectronics
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT SCT018H65G3AG
- SiC teljesítménymodul N 1200 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCTH50N120-7
- N Nagy teljesítményű MOSFET 650 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics Sct SCT018H65G3-7
- N AEC-Q101 MOSFET 1200 V H2PAK-7 STMicroelectronics SCT0 SCT020H120G3AG
- N AEC-Q101 MOSFET 1200 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT SCT040H120G3AG
- N AEC-Q101 MOSFET 900 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT SCT012H90G3AG