N AEC-Q101 MOSFET, 55 A, 1.2 kV, Növekményes, 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT025H120G3AG SCT025H120G3AG
- RS raktári szám:
- 214-952
- Gyártó cikkszáma:
- SCT025H120G3AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel
További 10 hozzáadása 980 Ft megtakarításához
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
6203 Ft
(ÁFA nélkül)
7878 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. július 19. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | Megtakarítás |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 6 203 Ft | - |
| 10 - 99 | 6 105 Ft | 980 Ft |
| 100 - 999 | 6 030 Ft | 17 300 Ft |
| 1000 + | 5 959 Ft | 244 000 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 214-952
- Gyártó cikkszáma:
- SCT025H120G3AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 55A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 1.2kV | |
| Csomag típusa | H2PAK-7 | |
| Sorozat | SCT025H120G3AG | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 7 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 27mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 22V | |
| Továbbító feszültség Vf | 2.7V | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 375W | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | AEC-Q101, RoHS | |
| Magasság | 4.8mm | |
| Hossz | 15.25mm | |
| Szélesség | 10.4mm | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 55A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 1.2kV | ||
Csomag típusa H2PAK-7 | ||
Sorozat SCT025H120G3AG | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 7 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 27mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 22V | ||
Továbbító feszültség Vf 2.7V | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 375W | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szabványok/jóváhagyások AEC-Q101, RoHS | ||
Magasság 4.8mm | ||
Hossz 15.25mm | ||
Szélesség 10.4mm | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Kapcsolódó linkek
- AEC-Q101 MOSFET N 1.2 kV 7-tüskés, H2PAK-7 SCT025H120G3AG STMicroelectronics SCT025H120G3AG
- AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV, H2PAK-7 SCT STMicroelectronics SCT025H120G3-7
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT SCT018H65G3AG
- SiC teljesítménymodul N 1.2 kV 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH50N120-7 STMicroelectronics SCTH50N120-7
- N Nagy teljesítményű MOSFET 650 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics Sct SCT018H65G3-7
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV H2PAK-7 STMicroelectronics SCT0 SCT020H120G3AG
- N AEC-Q101 MOSFET 1.2 kV 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT SCT040H120G3AG
- N 650 V 7-tüskés, H2PAK-7 STPOWER Gen3 SiC MOSFET STMicroelectronics SCT018H65G3-7