N MOSFET, 17.4 A, 800 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-263 Vishay E SIHB21N80AE-GE3

Részösszeg (1 cső / 50 egység)*

20 405 Ft

(ÁFA nélkül)

25 915 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Utolsó RS készlet
  • Utolsó 2750 egység, szállításra készen áll egy másik helyről a szállításra
Egység
Egységenként
csövenként*
50 +408,10 Ft20 405 Ft

*irányár

RS raktári szám:
210-4976
Gyártó cikkszáma:
SIHB21N80AE-GE3
Gyártó:
Vishay
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Vishay

Terméktípus

MOSFET

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram Id

17.4A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

800V

Csomag típusa

TO-263

Sorozat

E

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

3

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

205mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

48nC

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

179W

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

30V

Továbbító feszültség Vf

1.2V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Szélesség

9.65mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Magasság

4.06mm

Hossz

14.61mm

Járműipari szabvány

Nem

A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET D2PAK (TO-263) tokozással rendelkezik, 17.4 A-es elvezető árammal.

Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg

Alacsony effektív kapacitás (Co(er))

Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség

Avalanche-energia (UIS)

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.