N MOSFET, 13 A, 600 V, Növekményes, 10-tüskés, TO-252 Infineon IPD50R
- RS raktári szám:
- 222-4903
- Gyártó cikkszáma:
- IPDD60R190G7XTMA1
- Gyártó:
- Infineon
Részösszeg (1 tekercs / 1700 egység)*
754 290 Ft
(ÁFA nélkül)
957 950 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. április 05. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | orsónként* |
|---|---|---|
| 1700 + | 443,70 Ft | 754 290 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 222-4903
- Gyártó cikkszáma:
- IPDD60R190G7XTMA1
- Gyártó:
- Infineon
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Infineon | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 13A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 600V | |
| Csomag típusa | TO-252 | |
| Sorozat | IPD50R | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 10 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 190mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 20V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 76W | |
| Továbbító feszültség Vf | 800mV | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szélesség | 2.35mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Magasság | 21.11mm | |
| Hossz | 6.6mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Infineon | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 13A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 600V | ||
Csomag típusa TO-252 | ||
Sorozat IPD50R | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 10 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 190mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 20V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 76W | ||
Továbbító feszültség Vf 800mV | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szélesség 2.35mm | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Magasság 21.11mm | ||
Hossz 6.6mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
A Infineon Technologies bemutatja a dupla DPAK (DDPAK)-t, az első felső oldalon hűtött felületszerelt eszköz (SMD) csomagot, amely nagy teljesítményű SMPS alkalmazásokat, például PC-teljesítményt, napenergiát, kiszolgálót és távközlési eszközöket tartalmaz. A már meglévő nagyfeszültségű technológia 600V CoolMOS™ G7 szupercsomópont (SJ) MOSFET előnyei a felső oldali hűtés innovatív koncepciójával kombináltak, amely rendszermegoldást kínál a nagy áramerősségű, kemény kapcsolású topológiákhoz, mint például a PFC és egy csúcskategóriás hatékonysági megoldás az LLC topológiákhoz.
A legnagyobb energiahatékonyság elérése
A tábla és a félvezető hőleválasztásával leküzdhetők a termikus PCB-határértékek
Csökkentett parazita forrás induktivitás növeli a hatékonyságot és az egyszerű használat
Nagyobb teljesítménysűrűségű megoldásokat tesz lehetővé
A legmagasabb minőségi színvonal túllépése
Kapcsolódó linkek
- N MOSFET 600 V 10-tüskés, TO-252 Infineon IPD50R IPDD60R190G7XTMA1
- N MOSFET 600 V 3-tüskés, TO-252 Infineon IPD50R
- N MOSFET 600 V 3-tüskés, TO-252 Infineon IPD50R IPD60R180C7ATMA1
- N MOSFET 500 V 3-tüskés, TO-252 Infineon IPD50R
- N MOSFET 500 V 3-tüskés, TO-252 Infineon IPD50R IPD50R800CEAUMA1
- N MOSFET P, TO-252 Infineon IPD
- N MOSFET 600 V 5-tüskés, ThinPAK Infineon IPD50R
- N MOSFET 600 V 5-tüskés, ThinPAK Infineon IPD50R