N MOSFET, 29 A, 600 V, Növekményes, 5-tüskés, ThinPAK Infineon IPD50R

Minden MOSFET-ek megtekintése

Részösszeg (1 tekercs / 3000 egység)*

3 916 200 Ft

(ÁFA nélkül)

4 973 700 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2027. augusztus 23. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
orsónként*
3000 +1 305,40 Ft3 916 200 Ft

*irányár

RS raktári szám:
222-4908
Gyártó cikkszáma:
IPL60R065C7AUMA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Terméktípus

MOSFET

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram Id

29A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

600V

Sorozat

IPD50R

Csomag típusa

ThinPAK

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

5

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

65mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

20V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Továbbító feszültség Vf

900mV

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

68nC

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

180W

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Magasság

1.1mm

Hossz

8.1mm

Szélesség

8.1mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Járműipari szabvány

Nem

A Infineon 600V CoolMOS™ C7 szupercsatlakozó (SJ) MOSFET sorozat a CoolMOS™ CP-hez képest ∼50%-kal csökkenti a kikapcsolási veszteségeket (e oss), kiemelkedő teljesítményt nyújtva a PFC, TTF és más nehezen kapcsolható topológiákban. Az IPL60R185C7 típus kiválóan illeszkedik a nagy teljesítménysűrűségű töltőhöz.

Csökkentett kapcsolási veszteségi paraméterek, pl. Q G, C oss, E oss

Kategóriájában a legjobb jósági tényező: Q G*R DS(on)

Megnövelt kapcsolási frekvencia

A legjobb R (on)*A érték a világon

Robusztus felépítésű dióda

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.