N MOSFET, 36 A, 40 V, Növekményes, 8-tüskés, 1212-8 Vishay SISS SISS4410DN-T1-GE3

Minden MOSFET-ek megtekintése
Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel

További 50 hozzáadása 24% megtakarításához

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 10 egység)*

2569 Ft

(ÁFA nélkül)

3263 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • További 5960 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csomagonként*
Megtakarítás
10 - 40256,90 Ft2 569 Ft-
50 - 90193,10 Ft1 931 Ft24%
100 - 240171,40 Ft1 714 Ft33%
250 - 990168 Ft1 680 Ft34%
1000 +164,30 Ft1 643 Ft36%

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
279-9990
Gyártó cikkszáma:
SISS4410DN-T1-GE3
Gyártó:
Vishay
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Vishay

Csatorna típusa

N

Terméktípus

MOSFET

Maximális folyamatos nyelőáram Id

36A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

40V

Csomag típusa

1212-8

Sorozat

SISS

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

8

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

0.009Ω

Csatorna mód

Növekményes

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

18nC

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

19.8W

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

20V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Hossz

3.3mm

Járműipari szabvány

Nem

A Vishay MOSFET egy N-csatornás MOSFET, és a benne lévő tranzisztor szilikon néven ismert anyagból készült.

TrenchFET teljesítmény MOSFET

Teljesen ólommentes (Pb) eszköz

Nagyon alacsony RDS x Qg érték

100 százalékos Rg és UIS tesztelés

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.