N MOSFET, 115 A, 200 V, Növekményes, 4-tüskés, SOT-227 IXYS HiperFET, Polar

Részösszeg (1 cső / 10 egység)*

117 015 Ft

(ÁFA nélkül)

148 609 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2027. június 10. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
csövenként*
10 +11 701,50 Ft117 015 Ft

*irányár

RS raktári szám:
920-0735
Gyártó cikkszáma:
IXFN140N20P
Gyártó:
IXYS
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

IXYS

Terméktípus

MOSFET

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram Id

115A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

200V

Csomag típusa

SOT-227

Sorozat

HiperFET, Polar

Rögzítés típusa

Panel

Tüskék száma

4

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

18mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

680W

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

240nC

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Továbbító feszültség Vf

1.5V

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

-20V, +20V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szélesség

25.42mm

Hossz

38.23mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Magasság

9.6mm

Járműipari szabvány

Nem

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat


N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

MOSFET tranzisztorok, IXYS


Advanced Power MOSFET eszközök széles választéka az IXYS számítógépektől

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.