N MOSFET, 66 A, 500 V, Növekményes, 4-tüskés, SOT-227 IXYS HiperFET, Polar

Részösszeg (1 cső / 10 egység)*

100 736 Ft

(ÁFA nélkül)

127 935 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2027. április 07. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
csövenként*
10 +10 073,60 Ft100 736 Ft

*irányár

RS raktári szám:
920-0745
Gyártó cikkszáma:
IXFN80N50P
Gyártó:
IXYS
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

IXYS

Terméktípus

MOSFET

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram Id

66A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

500V

Sorozat

HiperFET, Polar

Csomag típusa

SOT-227

Rögzítés típusa

Panel

Tüskék száma

4

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

65mΩ

Csatorna mód

Növekményes

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

700W

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

-30V, +30V

Továbbító feszültség Vf

1.5V

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

195nC

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Hossz

38.2mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Szélesség

25.07mm

Magasság

9.6mm

Járműipari szabvány

Nem

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat


N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

MOSFET tranzisztorok, IXYS


Advanced Power MOSFET eszközök széles választéka az IXYS számítógépektől

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.