Infineon IGBT N típus-csatornás, 62 A, 650 V, 30 kHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 10 egység)*

9090 Ft

(ÁFA nélkül)

11 540 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2027. január 12. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csomagonként*
10 - 10909 Ft9 090 Ft
20 - 40864 Ft8 640 Ft
50 - 90827,30 Ft8 273 Ft
100 - 240791,30 Ft7 913 Ft
250 +736,10 Ft7 361 Ft

*irányár

RS raktári szám:
144-1201
Distrelec cikkszám:
304-30-526
Gyártó cikkszáma:
IKW30N65ES5XKSA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

62A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

188W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

30kHz

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±30 V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

1.7V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

No

Sorozat

TrenchStop

Járműipari szabvány

Nem

Energiabesorolás

0.88mJ

Infineon TrenchStop IGBT tranzisztorok, 600 és 650V


Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 600-as és 650V-os kollektorfeszültségszintekkel, TrenchStop™ technológiával. A termékskála beépített nagy sebességű, gyors helyreállást csökkentő párhuzamos diódával rendelkező eszközöket tartalmaz.

• A Kollektor feszültsége 600 és 650 V között van

Igen alacsony VCéni

• Gyenge a kikapcsolódási veszteség

• Rövid hátsó áramerősség

• Alacsony EMI

• maximális csatlakozási hőmérséklet 175 °C

IGBT diszkrét és Infineon


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.