IXYS IXXK110N65B4H1 IGBT N-csatornás, 570 A, 650 V, 30 kHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-264

Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel

További 2 hozzáadása 10% megtakarításához

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

8123 Ft

(ÁFA nélkül)

10 316 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • 270 egység szállítása 2026. november 18. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
Megtakarítás
1 - 18 123 Ft-
2 - 47 279 Ft10%
5 - 96 911 Ft14%
10 - 246 589 Ft18%
25 +6 248 Ft23%

*irányár

RS raktári szám:
125-8051
Gyártó cikkszáma:
IXXK110N65B4H1
Gyártó:
IXYS
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

IXYS

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

570A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

880W

Csomag típusa

TO-264

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

30kHz

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.1V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

No

Sorozat

Trench

Energiabesorolás

3mJ

Járműipari szabvány

Nem

IGBT diszkrét, IXYS


IGBT diszkrét és modulok, IXYS


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.