IXYS IXXK110N65B4H1 IGBT N-csatornás, 570 A, 650 V, 30 kHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-264
- RS raktári szám:
- 125-8051
- Gyártó cikkszáma:
- IXXK110N65B4H1
- Gyártó:
- IXYS
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
8123 Ft
(ÁFA nélkül)
10 316 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- 273 egység szállítása 2026. október 14. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 1 | 8 123 Ft |
| 2 - 4 | 7 279 Ft |
| 5 - 9 | 6 911 Ft |
| 10 - 24 | 6 589 Ft |
| 25 + | 6 248 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 125-8051
- Gyártó cikkszáma:
- IXXK110N65B4H1
- Gyártó:
- IXYS
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | IXYS | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 570A | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 650V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 880W | |
| Csomag típusa | TO-264 | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Kapcsolási típus | 30kHz | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 2.1V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | 20 V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Sorozat | Trench | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Energiabesorolás | 3mJ | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka IXYS | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 570A | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 650V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 880W | ||
Csomag típusa TO-264 | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Kapcsolási típus 30kHz | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.1V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO 20 V | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Sorozat Trench | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Energiabesorolás 3mJ | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
IGBT diszkrét, IXYS
IGBT diszkrét és modulok, IXYS
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Kapcsolódó linkek
- IXYS IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-264
- IXYS IXXK100N60C3H1 IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-264
- IXYS IXYK100N120C3 nagy sebességű IGBT N-csatornás 1200 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-264
- IXYS IXXH80N65B4H1 IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247AD
- Infineon IKW50N65ES5XKSA1 IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- Infineon IKW75N65ES5XKSA1 IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- Infineon IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- Infineon IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247