IXYS IGBT N-csatornás, 570 A, 650 V, 30 kHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-264

Részösszeg (1 cső / 25 egység)*

158 095 Ft

(ÁFA nélkül)

200 780 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • 250 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
csövenként*
25 +6 323,80 Ft158 095 Ft

*irányár

RS raktári szám:
168-4588
Gyártó cikkszáma:
IXXK110N65B4H1
Gyártó:
IXYS
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

IXYS

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

570A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

880W

Csomag típusa

TO-264

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

30kHz

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.1V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Sorozat

Trench

Szabványok/jóváhagyások

No

Járműipari szabvány

Nem

Energiabesorolás

3mJ

IGBT diszkrét, IXYS


IGBT diszkrét és modulok, IXYS


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.