AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET N, 2.6 A, 1500 V, MOSFET, 3-tüskés, H2PAK-2 STH4N150 N-csatornás MOSFET
- RS raktári szám:
- 877-308
- Gyártó cikkszáma:
- STH4N150-2AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Csak a termékválasztékot bemutató kép
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 tekercs / 1000 egység)*
679 500 Ft
(ÁFA nélkül)
863 000 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. február 08. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | orsónként* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 679,50 Ft | 679 500 Ft |
| 2000 - 4000 | 662,50 Ft | 662 500 Ft |
| 5000 + | 636,70 Ft | 636 700 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 877-308
- Gyártó cikkszáma:
- STH4N150-2AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | Nagy teljesítményű MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 2.6A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 1500V | |
| Sorozat | STH4N150 | |
| Csomag típusa | H2PAK-2 | |
| Rögzítés típusa | Felületre szerelt | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 10Ω | |
| Csatorna mód | MOSFET | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 208W | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 30V | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 35.1nC | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Tranzisztorkonfiguráció | N-csatornás MOSFET | |
| Szélesség | 4.7mm | |
| Hossz | 10.4mm | |
| Magasság | 15.8mm | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus Nagy teljesítményű MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 2.6A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 1500V | ||
Sorozat STH4N150 | ||
Csomag típusa H2PAK-2 | ||
Rögzítés típusa Felületre szerelt | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 10Ω | ||
Csatorna mód MOSFET | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 208W | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 30V | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 35.1nC | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Tranzisztorkonfiguráció N-csatornás MOSFET | ||
Szélesség 4.7mm | ||
Hossz 10.4mm | ||
Magasság 15.8mm | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Az STMicroelectronics N-csatornás teljesítmény MOSFET-je a PowerMESH használatával fejlesztették ki technológia. Ezt az eszközt úgy tervezték, hogy magas szintű feszültséget és robusztusságot biztosítson az autóipari piac számára.
Nagyon alacsony kaputöltés
100%-ban tesztelt lavinák
Kapcsolódó linkek
- AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET N 1500 V 3-tüskés, H2PAK-2 STH4N150 N-csatornás MOSFET
- N AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET 100 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics STH285N10F8-2AG
- N AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET 1200 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics STH285N10F8-6AG
- N MOSFET 1200 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics MDmesh K5 STH2N120K5-2AG
- N MOSFET 1200 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics MDmesh K5 STH13N120K5-2AG
- STMicroelectronics AEC-Q101 STGH30H65DFB-2AG IGBT 650 V Furatszerelt, H2PAK-2
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT 650 V Furatszerelt, H2PAK-2
- AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET N 1200 V 3-tüskés, H2PAK-2 MDmesh K5 STMicroelectronics