N AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET, 6 A, 1200 V, Fokozási mód, 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics STH285N10F8-6AG
- RS raktári szám:
- 800-461
- Gyártó cikkszáma:
- STH8N120K5-2AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Csak a termékválasztékot bemutató kép
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
1643 Ft
(ÁFA nélkül)
2087 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- További 270 egység szállítása 2026. szeptember 14. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 1 643 Ft |
| 10 - 24 | 1 601 Ft |
| 25 - 99 | 1 568 Ft |
| 100 + | 1 463 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 800-461
- Gyártó cikkszáma:
- STH8N120K5-2AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | Nagy teljesítményű MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 6A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 1200V | |
| Sorozat | STH285N10F8-6AG | |
| Csomag típusa | H2PAK-2 | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 1.65mΩ | |
| Csatorna mód | Fokozási mód | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 30V | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.5V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 165W | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 14.4nC | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | ECOPACK | |
| Magasság | 15.8mm | |
| Szélesség | 4.7mm | |
| Hossz | 10.4mm | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus Nagy teljesítményű MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 6A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 1200V | ||
Sorozat STH285N10F8-6AG | ||
Csomag típusa H2PAK-2 | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 1.65mΩ | ||
Csatorna mód Fokozási mód | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 30V | ||
Továbbító feszültség Vf 1.5V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 165W | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 14.4nC | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szabványok/jóváhagyások ECOPACK | ||
Magasság 15.8mm | ||
Szélesség 4.7mm | ||
Hossz 10.4mm | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Az STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítmény-MOSFET-je az innovatív, szabadalmaztatott függőleges szerkezetű MDmesh K5 technológián alapul. Az eredmény a bekapcsolt állapotú ellenállás drámai csökkenése és a rendkívül alacsony kaputöltés a kiváló teljesítménysűrűséget és nagy hatékonyságot igénylő alkalmazásoknál.
AEC-Q101 minősítésű
Az iparág legalacsonyabb RDS(on) x terület
Az iparág legjobb FoM-je (érdemszám)
Rendkívül alacsony kaputöltés
100%-ban tesztelt lavinák
Zener-védett
Kapcsolódó linkek
- N AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET 100 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics STH285N10F8-2AG
- N AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET 100 V 3-tüskés, H2PAK STMicroelectronics STH285N10F8-6AG
- N Nagy teljesítményű MOSFET 60 V 8-tüskés, PowerFLAT STMicroelectronics STH285N10F8-6AG
- N Nagy teljesítményű MOSFET 650 V 4-tüskés, PG-TO-247 STMicroelectronics STH285N10F8-6AG
- N MOSFET 1200 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics MDmesh K5 STH2N120K5-2AG
- N MOSFET 1200 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics MDmesh K5 STH13N120K5-2AG
- N MOSFET 1200 V 3-tüskés, Szalag és tekercs STMicroelectronics
- AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET N 1500 V 3-tüskés, H2PAK-2 STH4N150 N-csatornás MOSFET