Infineon IGBT N-csatornás, 20 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Felület, TO-263
- RS raktári szám:
- 165-5613
- Gyártó cikkszáma:
- IGB10N60TATMA1
- Gyártó:
- Infineon
Részösszeg (1 tekercs / 1000 egység)*
318 400 Ft
(ÁFA nélkül)
404 400 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- 1000 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
- További 1000 egység szállítása 2026. október 29. dátumtól
- További 1000 egység szállítása 2026. december 10. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | orsónként* |
|---|---|---|
| 1000 + | 318,40 Ft | 318 400 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 165-5613
- Gyártó cikkszáma:
- IGB10N60TATMA1
- Gyártó:
- Infineon
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Infineon | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 20A | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 600V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 110W | |
| Csomag típusa | TO-263 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Kapcsolási típus | 1MHz | |
| Min. működési hőmérséklet | -40°C | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | 20 V | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 2.05V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Sorozat | TrenchStop | |
| Szabványok/jóváhagyások | JEDEC | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Infineon | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 20A | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 110W | ||
Csomag típusa TO-263 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Kapcsolási típus 1MHz | ||
Min. működési hőmérséklet -40°C | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO 20 V | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.05V | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Sorozat TrenchStop | ||
Szabványok/jóváhagyások JEDEC | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
Nem megfelelő
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Infineon TrenchStop IGBT tranzisztorok, 600 és 650V
Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 600-as és 650V-os kollektorfeszültségszintekkel, TrenchStop™ technológiával. A termékskála beépített nagy sebességű, gyors helyreállást csökkentő párhuzamos diódával rendelkező eszközöket tartalmaz.
• A Kollektor feszültsége 600 és 650 V között van
Igen alacsony VCéni
• Gyenge a kikapcsolódási veszteség
• Rövid hátsó áramerősség
• Alacsony EMI
• maximális csatlakozási hőmérséklet 175 °C
IGBT diszkrét és Infineon
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Kapcsolódó linkek
- Infineon IGB10N60TATMA1 IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Felület, TO-263
- STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Felület, TO-263
- STMicroelectronics STGB10NC60HDT4 IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Felület, TO-263
- STMicroelectronics IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Felület, TO-263
- STMicroelectronics STGP10NC60KD IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-220
- STMicroelectronics IGBT N-csatornás 600 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-220
- Infineon IGBT N-csatornás 1200 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- Infineon IGBT N-csatornás 1200 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247