N AEC-Q101 MOSFET, 100 A, 1.2 kV, 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT0 SCT020H120G3AG
- RS raktári szám:
- 330-232
- Gyártó cikkszáma:
- SCT020H120G3AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
6679 Ft
(ÁFA nélkül)
8482 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- 590 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 6 679 Ft |
| 10 - 99 | 6 011 Ft |
| 100 + | 5 775 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 330-232
- Gyártó cikkszáma:
- SCT020H120G3AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 100A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 1.2kV | |
| Sorozat | SCT0 | |
| Csomag típusa | H2PAK-7 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 7 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 18.5mΩ | |
| Továbbító feszültség Vf | 3V | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 121nC | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 555W | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 22V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | AEC-Q101, RoHS | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 100A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 1.2kV | ||
Sorozat SCT0 | ||
Csomag típusa H2PAK-7 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 7 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 18.5mΩ | ||
Továbbító feszültség Vf 3V | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 121nC | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 555W | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 22V | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szabványok/jóváhagyások AEC-Q101, RoHS | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
Az STMicroelectronics szilícium-karbid Power MOSFET eszköze az ST fejlett és innovatív, 3. generációs SiC MOSFET technológiájának felhasználásával készült. Az eszköz a teljes hőmérséklet-tartományban nagyon alacsony RDS(be) értékkel, alacsony kapacitással és nagyon magas kapcsolási műveletekkel kombinálva javítja az alkalmazások teljesítményét a frekvencia, az energiahatékonyság, a rendszerméret és a tömeg csökkentése terén.
AEC-Q101 minősítésű
Nagyon alacsony RDS(on) a teljes hőmérséklet-tartományban
Nagy sebességű kapcsolási teljesítmény
Nagyon gyors és robusztus belső testdióda
Forrásérzékelő csap a nagyobb hatékonyság érdekében
Kapcsolódó linkek
- N AEC-Q101 MOSFET 1200 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT SCT040H120G3AG
- N AEC-Q101 MOSFET 1200 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT025H120G3AG SCT025H120G3AG
- AEC-Q101 MOSFET 1200 V, H2PAK-7 SCT STMicroelectronics
- AEC-Q101 MOSFET N 1200 V 7-tüskés, H2PAK-7 SCT STMicroelectronics SCT070H120G3AG
- AEC-Q101 MOSFET 1200 V HU3PAK STMicroelectronics SCT0 SCT019HU120G3AG
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT SCT018H65G3AG
- N AEC-Q101 MOSFET 900 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT SCT012H90G3AG
- N AEC-Q101 MOSFET 650 V 7-tüskés, H2PAK-7 STMicroelectronics SCT SCT027H65G3AG