Gyártói szám

MOSFET N, 55 A, 600 V, 8-tüskés, TO-LL STO60 N-csatornás STMicroelectronics STO60N045DM9

RS raktári szám:: 358-979
Gyártó cikkszáma:: STO60N045DM9
Gyártó:: STMicroelectronics

MOSFET N, 55 A, 600 V, 8-tüskés, TO-LL STO60 N-csatornás STMicroelectronics STO60N045DM9

Összevont kedvezmény elérhető

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

3203 Ft

(ÁFA nélkül)

4068 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Átmenetileg nincsen készleten

300 egység szállítása 2026. szeptember 18. dátumtól

Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység	Egységenként
1 - 9	3 203 Ft
10 - 99	2 884 Ft
100 - 499	2 659 Ft
500 - 999	2 468 Ft
1000 +	2 213 Ft

*irányár

RS raktári szám:: 358-979
Gyártó cikkszáma:: STO60N045DM9
Gyártó:: STMicroelectronics

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	STMicroelectronics
	Terméktípus	MOSFET
	Csatorna típusa	N
	Üzemeltetési frekvencia	1MHz
	Maximális folyamatos nyelőáram Id	55A
	Kimenő teljesítmény	255W
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds	600V
	Csomag típusa	TO-LL
	Sorozat	STO60
	Rögzítés típusa	Felület
	Tüskék száma	8
	Min. működési hőmérséklet	-55°C
	Tranzisztorkonfiguráció	N-csatornás
	Maximális működési hőmérséklet	150°C
	Hossz	11.88mm
	Magasság	2.4mm
	Szabványok/jóváhagyások	RoHS
	Szélesség	10mm
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka STMicroelectronics
	Terméktípus MOSFET
	Csatorna típusa N
	Üzemeltetési frekvencia 1MHz
	Maximális folyamatos nyelőáram Id 55A
	Kimenő teljesítmény 255W
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 600V
	Csomag típusa TO-LL
	Sorozat STO60
	Rögzítés típusa Felület
	Tüskék száma 8
	Min. működési hőmérséklet -55°C
	Tranzisztorkonfiguráció N-csatornás
	Maximális működési hőmérséklet 150°C
	Hossz 11.88mm
	Magasság 2.4mm
	Szabványok/jóváhagyások RoHS
	Szélesség 10mm
	Járműipari szabvány Nem

Datasheet - STO60N045DM9

Származási ország (Country of Origin):: MY

Az STMicroelectronics N-csatornás teljesítmény-MOSFET a leginnovatívabb szuper-összeköttetéses MDmesh DM9 technológián alapul, amely alkalmas a közepes/nagyfeszültségű MOSFET-ek számára. A szilícium alapú DM9 technológia előnye a többszörös lefolyású gyártási folyamat, amely lehetővé teszi a továbbfejlesztett eszközszerkezetet. A nagyon alacsony visszatöltési töltéssel (Qrr), idővel (trr) és RDS(on) rendelkező dióda ezt a gyors kapcsolású szuper-összeköttetésű Power MOSFET-et a legigényesebb, nagy hatásfokú híd topológiákhoz és ZVS fázisváltó átalakítókhoz igazítja.

Gyors helyreállítási test dióda

Nagyon alacsony FOM

Alacsony bemeneti kapacitás és ellenállás

100 százalékban lavinatesztelt

Rendkívül magas dv by dt robusztusság

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.