N Nagy teljesítményű MOSFET, 397 A, 60 V, Növekményes, 2-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics STH STH345N6F7-2
- RS raktári szám:
- 719-652
- Gyártó cikkszáma:
- STH345N6F7-2
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
1995 Ft
(ÁFA nélkül)
2534 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- További 300 egység szállítása 2026. október 05. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 1 995 Ft |
| 10 - 99 | 1 459 Ft |
| 100 - 499 | 1 129 Ft |
| 500 - 999 | 1 005 Ft |
| 1000 + | 840 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 719-652
- Gyártó cikkszáma:
- STH345N6F7-2
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | Nagy teljesítményű MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 397A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 60V | |
| Sorozat | STH | |
| Csomag típusa | H2PAK-2 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 2 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 1.2mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 341W | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 20V | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 230nC | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.2V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Hossz | 9.3mm | |
| Szélesség | 10.4mm | |
| Magasság | 4.7mm | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus Nagy teljesítményű MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 397A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 60V | ||
Sorozat STH | ||
Csomag típusa H2PAK-2 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 2 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 1.2mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 341W | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 20V | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 230nC | ||
Továbbító feszültség Vf 1.2V | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Hossz 9.3mm | ||
Szélesség 10.4mm | ||
Magasság 4.7mm | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az STripFET F7 technológiát használja továbbfejlesztett gödörkapu szerkezettel, amely nagyon alacsony bekapcsolt állapotú ellenállást eredményez, miközben csökkenti a belső kapacitást és a kaputömeget a gyorsabb és hatékonyabb kapcsolás érdekében.
A legalacsonyabb RDS(on) a piacon
Kiváló FoM (érdemszám)
Alacsony Crss/Ciss arány az EMI-immunitás érdekében
Nagyfokú lavinabiztosság
Kapcsolódó linkek
- N Nagy teljesítményű MOSFET 60 V 2-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics STH STH345N6F7-2
- N Nagy teljesítményű MOSFET 60 V 6-tüskés, H2PAK STMicroelectronics STH STH345N6F7-6
- N Nagy teljesítményű MOSFET 100 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics STH280N10F8-2
- N MOSFET 100 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics STH200 STH200N10WF7-2
- N MOSFET 1200 V 3-tüskés, H2PAK STMicroelectronics STB37N60
- N MOSFET 1500 V 3-tüskés, H2PAK STMicroelectronics MDmesh STH3N150-2
- N MOSFET 1200 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics SiC MOSFET SCT20N120H
- N MOSFET 1200 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics SiC MOSFET