N AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET, 292 A, 100 V, Fokozási mód, 3-tüskés, H2PAK STMicroelectronics STH285N10F8-6AG
- RS raktári szám:
- 800-460
- Gyártó cikkszáma:
- STH285N10F8-6AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
1129 Ft
(ÁFA nélkül)
1434 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- További 275 egység szállítása 2026. szeptember 14. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 1 129 Ft |
| 10 - 24 | 998 Ft |
| 25 - 99 | 896 Ft |
| 100 - 499 | 761 Ft |
| 500 + | 705 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 800-460
- Gyártó cikkszáma:
- STH285N10F8-6AG
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | Nagy teljesítményű MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 292A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 100V | |
| Csomag típusa | H2PAK | |
| Sorozat | STH285N10F8-6AG | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 1.9mΩ | |
| Csatorna mód | Fokozási mód | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.2V | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 4V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 341W | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 177nC | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Magasság | 15.8mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | ECOPACK | |
| Szélesség | 4.7mm | |
| Hossz | 10.4mm | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus Nagy teljesítményű MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 292A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 100V | ||
Csomag típusa H2PAK | ||
Sorozat STH285N10F8-6AG | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 1.9mΩ | ||
Csatorna mód Fokozási mód | ||
Továbbító feszültség Vf 1.2V | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 4V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 341W | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 177nC | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Magasság 15.8mm | ||
Szabványok/jóváhagyások ECOPACK | ||
Szélesség 4.7mm | ||
Hossz 10.4mm | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Az STMicroelectronics 100 V-os N-csatornás javítási üzemmódú teljesítmény-MOSFET-je STripFET F8 technológiával tervezett, továbbfejlesztett gödörkapu-szerkezettel.
AEC-Q101 minősítésű
175 °C maximális üzemi csatlakozási hőmérséklet
100%-ban tesztelt lavinák
Kiváló FoM (érdemszám)
Kapcsolódó linkek
- N Nagy teljesítményű MOSFET 60 V 8-tüskés, PowerFLAT STMicroelectronics STH285N10F8-6AG
- N AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET 1200 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics STH285N10F8-6AG
- N AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET 100 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics STH285N10F8-2AG
- N Nagy teljesítményű MOSFET 650 V 4-tüskés, PG-TO-247 STMicroelectronics STH285N10F8-6AG
- N Nagy teljesítményű MOSFET 100 V 3-tüskés, H2PAK STMicroelectronics STH280N10F8-6 STH280N10F8-6
- N Nagy teljesítményű MOSFET 100 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics STH280N10F8-2
- AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET N 1200 V 3-tüskés, H2PAK-2 MDmesh K5 STMicroelectronics
- N AEC-Q101 MOSFET 60 V 3-tüskés, SOT-23 DiodesZetex 2N7002 2N7002EQ-7-F