N Nagy teljesítményű MOSFET, 58 A, 650 V, Fokozási mód, 4-tüskés, PG-TO-247 STMicroelectronics STH285N10F8-6AG
- RS raktári szám:
- 800-466
- Gyártó cikkszáma:
- STW65N040M9-4
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Csak a termékválasztékot bemutató kép
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 egység)*
2974 Ft
(ÁFA nélkül)
3777 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- 300 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 1 - 9 | 2 974 Ft |
| 10 - 49 | 2 899 Ft |
| 50 - 99 | 2 831 Ft |
| 100 + | 2 651 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 800-466
- Gyártó cikkszáma:
- STW65N040M9-4
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Csatorna típusa | N | |
| Terméktípus | Nagy teljesítményű MOSFET | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 58A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 650V | |
| Csomag típusa | PG-TO-247 | |
| Sorozat | STH285N10F8-6AG | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Tüskék száma | 4 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 37mΩ | |
| Csatorna mód | Fokozási mód | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 321W | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | 30V | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szélesség | 5.1mm | |
| Hossz | 15.9mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | ECOPACK | |
| Magasság | 21.1mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Csatorna típusa N | ||
Terméktípus Nagy teljesítményű MOSFET | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 58A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 650V | ||
Csomag típusa PG-TO-247 | ||
Sorozat STH285N10F8-6AG | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Tüskék száma 4 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 37mΩ | ||
Csatorna mód Fokozási mód | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 321W | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs 30V | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szélesség 5.1mm | ||
Hossz 15.9mm | ||
Szabványok/jóváhagyások ECOPACK | ||
Magasság 21.1mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
Az STMicroelectronics N-csatornás teljesítmény-MOSFET-je a leginnovatívabb szupercsatlakozó MDmesh M9 technológián alapul, amely alkalmas olyan közepes/nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyek területenként nagyon alacsony RDS(on) értéket mutatnak.
Nagyon alacsony FOM (RDS(on)·Qg)
Nagyobb dv/dt-kapacitás
Kiváló kapcsolási teljesítmény
Könnyen vezérelhető
100%-ban tesztelt lavinák
Kiváló kapcsolási teljesítmény az extra hajtóforrás tűnek köszönhetően
Kapcsolódó linkek
- N AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET 100 V 3-tüskés, H2PAK STMicroelectronics STH285N10F8-6AG
- N Nagy teljesítményű MOSFET 60 V 8-tüskés, PowerFLAT STMicroelectronics STH285N10F8-6AG
- N AEC-Q101 Nagy teljesítményű MOSFET 1200 V 3-tüskés, H2PAK-2 STMicroelectronics STH285N10F8-6AG
- N MOSFET 1200 V 4-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCTW
- N AEC-Q101 MOSFET 30 V 4-tüskés, TO-247 STMicroelectronics STW
- N MOSFET 1200 V Hip-247 STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4
- N MOSFET 1200 V 4-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 SCTWA70N120G2V-4
- N MOSFET 1200 V 4-tüskés, Hip-247 STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4