P típus MOSFET, 27 A, 60 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-263 onsemi QFET

RS raktári szám:: 166-1749
Gyártó cikkszáma:: FQB27P06TM
Gyártó:: onsemi

P típus MOSFET, 27 A, 60 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-263 onsemi QFET

Részösszeg (1 tekercs / 800 egység)*

272 480 Ft

(ÁFA nélkül)

346 080 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Ellátási hiány

Az ellátási lánc korlátozásai miatt a készlet akkor kerül hozzárendelésre, amikor elérhetővé válik. Utánrendelheti ezt a terméket, és mi a lehető leghamarabb tájékoztatjuk Önt a kézbesítési dátumról.

Egység	Egységenként	orsónként*
800 +	340,60 Ft	272 480 Ft

*irányár

RS raktári szám:: 166-1749
Gyártó cikkszáma:: FQB27P06TM
Gyártó:: onsemi

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	onsemi
	Csatorna típusa	P típus
	Terméktípus	MOSFET
	Maximális folyamatos nyelőáram Id	27A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds	60V
	Sorozat	QFET
	Csomag típusa	TO-263
	Rögzítés típusa	Felület
	Tüskék száma	3
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds	70mΩ
	Csatorna mód	Növekményes
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs	33nC
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs	-25V, +25V
	Továbbító feszültség Vf	-4V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	3.75W
	Min. működési hőmérséklet	-55°C
	Maximális működési hőmérséklet	175°C
	Szélesség	9.65mm
	Magasság	4.83mm
	Szabványok/jóváhagyások	No
	Hossz	10.67mm
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka onsemi
	Csatorna típusa P típus
	Terméktípus MOSFET
	Maximális folyamatos nyelőáram Id 27A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 60V
	Sorozat QFET
	Csomag típusa TO-263
	Rögzítés típusa Felület
	Tüskék száma 3
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds 70mΩ
	Csatorna mód Növekményes
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 33nC
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs -25V, +25V
	Továbbító feszültség Vf -4V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 3.75W
	Min. működési hőmérséklet -55°C
	Maximális működési hőmérséklet 175°C
	Szélesség 9.65mm
	Magasság 4.83mm
	Szabványok/jóváhagyások No
	Hossz 10.67mm
	Járműipari szabvány Nem

Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor

A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű eljárást úgy tervezték, hogy a lehető legkisebb legyen a működés közbeni ellenállás, ami robusztus és megbízható teljesítményt nyújt a gyors kapcsoláshoz.

Funkciók és előnyök:

• Feszültségszabályozott P-csatornás kis jelkapcsoló

• Nagy sűrűségű cellás kialakítás

• Nagy telítettség

• Kiváló kapcsolás

• Nagy teljesítmény masszív és megbízható minőségben

• MOS technológia

Alkalmazások:

• Terhelés És Kapcsolás

• DC/DC átalakító

• Akkumulátor védelme

• Energiakezelés vezérlése

• Egyenirányú motorvezérlés

MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS

A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.

Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.