P típus MOSFET, 11.5 A, 200 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-263 onsemi QFET

RS raktári szám:: 166-2528
Gyártó cikkszáma:: FQB12P20TM
Gyártó:: onsemi

P típus MOSFET, 11.5 A, 200 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-263 onsemi QFET

Részösszeg (1 tekercs / 800 egység)*

279 520 Ft

(ÁFA nélkül)

354 960 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Átmenetileg nincsen készleten

Szállítás 2027. február 01. dátumtól

Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység	Egységenként	orsónként*
800 +	349,40 Ft	279 520 Ft

*irányár

RS raktári szám:: 166-2528
Gyártó cikkszáma:: FQB12P20TM
Gyártó:: onsemi

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	onsemi
	Terméktípus	MOSFET
	Csatorna típusa	P típus
	Maximális folyamatos nyelőáram Id	11.5A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds	200V
	Csomag típusa	TO-263
	Sorozat	QFET
	Rögzítés típusa	Felület
	Tüskék száma	3
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds	470mΩ
	Csatorna mód	Növekményes
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	3.13W
	Továbbító feszültség Vf	-5V
	Min. működési hőmérséklet	-55°C
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs	31nC
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs	-30V, +30V
	Maximális működési hőmérséklet	150°C
	Magasság	4.83mm
	Szabványok/jóváhagyások	No
	Szélesség	9.65mm
	Hossz	10.67mm
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka onsemi
	Terméktípus MOSFET
	Csatorna típusa P típus
	Maximális folyamatos nyelőáram Id 11.5A
	Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 200V
	Csomag típusa TO-263
	Sorozat QFET
	Rögzítés típusa Felület
	Tüskék száma 3
	Maximális nyelő forrásellenállás Rds 470mΩ
	Csatorna mód Növekményes
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 3.13W
	Továbbító feszültség Vf -5V
	Min. működési hőmérséklet -55°C
	Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 31nC
	Maximális kapuforrás-feszültség Vgs -30V, +30V
	Maximális működési hőmérséklet 150°C
	Magasság 4.83mm
	Szabványok/jóváhagyások No
	Szélesség 9.65mm
	Hossz 10.67mm
	Járműipari szabvány Nem

Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor

A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű eljárást úgy tervezték, hogy a lehető legkisebb legyen a működés közbeni ellenállás, ami robusztus és megbízható teljesítményt nyújt a gyors kapcsoláshoz.

Funkciók és előnyök:

• Feszültségszabályozott P-csatornás kis jelkapcsoló

• Nagy sűrűségű cellás kialakítás

• Nagy telítettség

• Kiváló kapcsolás

• Nagy teljesítmény masszív és megbízható minőségben

• MOS technológia

Alkalmazások:

• Terhelés És Kapcsolás

• DC/DC átalakító

• Akkumulátor védelme

• Energiakezelés vezérlése

• Egyenirányú motorvezérlés

MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS

A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.

Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.