N MOSFET, 55 A, 100 V, Növekményes, 3-tüskés, TO-263 onsemi QFET
- RS raktári szám:
- 166-2534
- Gyártó cikkszáma:
- FQB55N10TM
- Gyártó:
- onsemi
Kínálati hiány
Globális ellátási hiány miatt nem tudjuk, mikor lesz újra készleten.
- RS raktári szám:
- 166-2534
- Gyártó cikkszáma:
- FQB55N10TM
- Gyártó:
- onsemi
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | onsemi | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 55A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 100V | |
| Sorozat | QFET | |
| Csomag típusa | TO-263 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 26mΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 75nC | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.5V | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | -25V, +25V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 3.75W | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Magasság | 4.83mm | |
| Szélesség | 9.65mm | |
| Hossz | 10.67mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka onsemi | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 55A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 100V | ||
Sorozat QFET | ||
Csomag típusa TO-263 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 26mΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 75nC | ||
Továbbító feszültség Vf 1.5V | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs -25V, +25V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 3.75W | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Magasság 4.83mm | ||
Szélesség 9.65mm | ||
Hossz 10.67mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
QFET® N-csatornás MOSFET, több mint 31A Fairchild Semiconductor
A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesítmény eléréséhez, amely a tápegységek széles köréhez, a PFC (teljesítménytényező-korrekció), DC-DC átalakítók, a plazmatelépernyők (PDP), a világítás és a mozgásvezérlés révén érhető el.
Alacsonyabb be- és kikapcsolását teszik lehetővé az on-állású (RDS(on))), valamint a rövid kapura történő feltöltéssel (Qg) és a kimeneti kapacitás (Coss) csökkentésével. A Advanced QFET® folyamat technológiával a Fairchild nagyobb érdemeket (FOM) kínál a konkurens síkú MOSFET eszközökhöz képest.
MOSFET tranzisztorok, FÉLAZOKRA IS
A Féltípusokon a MOSFET eszközök széles választéka> áll rendelkezésre<, amely magában foglalja a nagyfeszültségű (250 V) és a kisfeszültségű (250 V) típusokat. A Advanced szilíciumtechnológia kisebb lyukméretet biztosít, amelyet több ipari szabvány szerint beépítettek, és hőszabályozásos módon javított csomagokba.
Félmosfet-ek esetében kiemelkedő megbízhatóságot nyújtanak a csökkentett feszültségcsúcsok és túllépés, valamint a kapacitásuk csökkenését és a fordított irányú visszanyerési töltést illetően, és lehetővé teszik a további külső alkatrészek eltávolítását, hogy a rendszerek tovább működjenek és működjenek.
Kapcsolódó linkek
- N MOSFET 100 V 3-tüskés, TO-263 onsemi QFET FQB55N10TM
- P típus MOSFET 60 V 3-tüskés, TO-263 onsemi QFET
- P típus MOSFET 200 V 3-tüskés, TO-263 onsemi QFET
- P típus MOSFET 100 V 3-tüskés, TO-263 onsemi QFET
- P típus MOSFET 100 V 3-tüskés, TO-263 onsemi QFET
- P típus MOSFET 60 V 3-tüskés, TO-263 onsemi QFET FQB27P06TM
- P típus MOSFET 100 V 3-tüskés, TO-263 onsemi QFET FQB22P10TM
- P típus MOSFET 200 V 3-tüskés, TO-263 onsemi QFET FQB12P20TM