N MOSFET, 100 A, 30 V, Növekményes, 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3

Minden MOSFET-ek megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Sajnáljuk, nem tudjuk, mikor lesz újra készleten.
RS raktári szám:
178-3670
Gyártó cikkszáma:
SiDR392DP-T1-GE3
Gyártó:
Vishay
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Vishay

Terméktípus

MOSFET

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram Id

100A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

30V

Csomag típusa

SO-8

Sorozat

TrenchFET

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

8

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

900μΩ

Csatorna mód

Növekményes

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

125nC

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

+20V, +6V

Továbbító feszültség Vf

1.1V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

125W

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Hossz

5.99mm

Magasság

1.07mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Szélesség

5mm

Járműipari szabvány

Nem

Kivétel

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

A felső oldalon lévő hűtési funkció további helyet biztosít a hőátadáshoz

Az optimalizált Qg, Qgd és Qgd/Qgs arány csökkenti a kapcsolások miatti teljesítményveszteség mértékét

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.