N MOSFET, 100 A, 30 V, Növekményes, 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3
- RS raktári szám:
- 178-3934
- Gyártó cikkszáma:
- SiDR392DP-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay
További 50 hozzáadása 10% megtakarításához
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (1 csomag / 5 egység)*
5445 Ft
(ÁFA nélkül)
6915 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
- További 2820 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Egység | Egységenként | csomagonként* | Megtakarítás |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 1 089 Ft | 5 445 Ft | - |
| 50 - 95 | 977,20 Ft | 4 886 Ft | 10% |
| 100 - 495 | 926,20 Ft | 4 631 Ft | 14% |
| 500 - 995 | 870 Ft | 4 350 Ft | 20% |
| 1000 + | 761,20 Ft | 3 806 Ft | 30% |
*irányár
- RS raktári szám:
- 178-3934
- Gyártó cikkszáma:
- SiDR392DP-T1-GE3
- Gyártó:
- Vishay
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Vishay | |
| Terméktípus | MOSFET | |
| Csatorna típusa | N | |
| Maximális folyamatos nyelőáram Id | 100A | |
| Maximális nyelő forrásfeszültség Vds | 30V | |
| Sorozat | TrenchFET | |
| Csomag típusa | SO-8 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Tüskék száma | 8 | |
| Maximális nyelő forrásellenállás Rds | 900μΩ | |
| Csatorna mód | Növekményes | |
| Maximális kapuforrás-feszültség Vgs | +20V, +6V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 125W | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Továbbító feszültség Vf | 1.1V | |
| Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs | 125nC | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szélesség | 5mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | No | |
| Magasság | 1.07mm | |
| Hossz | 5.99mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Vishay | ||
Terméktípus MOSFET | ||
Csatorna típusa N | ||
Maximális folyamatos nyelőáram Id 100A | ||
Maximális nyelő forrásfeszültség Vds 30V | ||
Sorozat TrenchFET | ||
Csomag típusa SO-8 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Tüskék száma 8 | ||
Maximális nyelő forrásellenállás Rds 900μΩ | ||
Csatorna mód Növekményes | ||
Maximális kapuforrás-feszültség Vgs +20V, +6V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 125W | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Továbbító feszültség Vf 1.1V | ||
Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs 125nC | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szélesség 5mm | ||
Szabványok/jóváhagyások No | ||
Magasság 1.07mm | ||
Hossz 5.99mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
Kivétel
- Származási ország (Country of Origin):
- TW
Kapcsolódó linkek
- N MOSFET 30 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3
- N MOSFET 30 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SIRA00DP-T1-GE3
- N MOSFET 100 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET Si4056ADY-T1-GE3
- N MOSFET 30 V 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Vishay TrenchFET SiRA18BDP-T1-GE3
- N MOSFET 30 V 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Vishay TrenchFET SIRA14BDP-T1-GE3
- P típus MOSFET 20 V 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SIR401DP-T1-GE3
- N MOSFET 25 V 4-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SiJA22DP-T1-GE3
- N MOSFET 30 V 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Vishay TrenchFET SiRA10BDP-T1-GE3
