N MOSFET, 100 A, 30 V, Növekményes, 8-tüskés, SO-8 Vishay TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3

Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel

További 50 hozzáadása 10% megtakarításához

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 5 egység)*

5445 Ft

(ÁFA nélkül)

6915 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • További 2820 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csomagonként*
Megtakarítás
5 - 451 089 Ft5 445 Ft-
50 - 95977,20 Ft4 886 Ft10%
100 - 495926,20 Ft4 631 Ft14%
500 - 995870 Ft4 350 Ft20%
1000 +761,20 Ft3 806 Ft30%

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
178-3934
Gyártó cikkszáma:
SiDR392DP-T1-GE3
Gyártó:
Vishay
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Vishay

Terméktípus

MOSFET

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos nyelőáram Id

100A

Maximális nyelő forrásfeszültség Vds

30V

Sorozat

TrenchFET

Csomag típusa

SO-8

Rögzítés típusa

Felület

Tüskék száma

8

Maximális nyelő forrásellenállás Rds

900μΩ

Csatorna mód

Növekményes

Maximális kapuforrás-feszültség Vgs

+20V, +6V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

125W

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Továbbító feszültség Vf

1.1V

Tipikus kaputöltés Qg @ Vgs

125nC

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Szélesség

5mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Magasság

1.07mm

Hossz

5.99mm

Járműipari szabvány

Nem

Kivétel

Származási ország (Country of Origin):
TW
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

A felső oldalon lévő hűtési funkció további helyet biztosít a hőátadáshoz

Az optimalizált Qg, Qgd és Qgd/Qgs arány csökkenti a kapcsolások miatti teljesítményveszteség mértékét

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.