Diszkrét félvezetők
Kategóriák
Diszkrét félvezetők
(231)
Bipoláris tranzisztorok
(4)
Darlington-párok
(19)
Hidas egyenirányítók
(925)
IGBT-k
(59)
Kapcsolódiódák
(4275)
MOSFET-ek
(50)
PIN diódák
(155)
Tirisztorok
(79)
TVS diódák
(28)
Varaktor diódák
Ár (ÁFA nélkül) | Leírás | Part Details |
|
MOSFET, 340 A, 40 V, TO-220 HEXFET
|
|
Dióda tirisztor modul 2200V, 548A, 250mA, 7-tüskés
|
||
MOSFET, 1 elem/chip, 43 A, 80 V, 8-tüskés, HSOF-8 OptiMOS™ 5
|
||
RF bipoláris tranzisztor BFP405H6327XTSA1, NPN, 12 mA, 15 V
|
||
|
MOSFET, 100 A, 60 V, PG-TDSON-8-17 OptiMOS™
|
|
|
Dióda tirisztor modul 2200V, 548A, 250mA, 7-tüskés
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 43 A, 80 V, 8-tüskés, HSOF-8 OptiMOS™ 5
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 800 V, 3-tüskés, SOT-223 CoolMOS™ Si
|
|
|
RF bipoláris tranzisztor BFP405H6327XTSA1, NPN, 12 mA, 15 V
|
|
MOSFET tranzisztor + dióda, 2 elem/chip, 6,8 A, 650 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™
|
||
|
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 60 V, 3-tüskés, TO-252 CoolMOS™ Szilikon
|
|
|
Infineon IKP40N65H5XKSA1 IGBT, 74 A, 650 V, 3-tüskés, PG-TO220-3
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 14,9 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC OptiMOS P Egyszeres Si
|
|
MOSFET, 2 elem/chip, 950 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-363
|
||
|
MOSFET, 1 elem/chip, 171 A, 30 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 2,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si
|
||
|
Infineon IGW30N60TPXKSA1 IGBT N-csatornás, 53 A, 600 V, 30kHz, 3-tüskés, TO-247 1 Egyszeres
|
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 15,2 A, 200 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si
|
|
Infineon IHW50N65R5XKSA1 IGBT, 80 A, 650 V, 3-tüskés, PG-TO247-3
|
||
|
MOSFET tranzisztor + dióda, 2 elem/chip, 6,8 A, 650 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) CoolMOS™
|
Nemrégiben keresett