Infineon

Diszkrét félvezetők

Kategóriák

61 megtekintése - 80 / 6264 termék
A kiválasztottak összehasonlítása 0/8
Megtekintés mint:
Ár
(ÁFA nélkül)
Leírás
Part Details
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 3-tüskés, TO-252 OptiMOS™ Szilikon
  • 184 Ft
    Darab (2500 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 3-tüskés, TO-252 OptiMOS™ Szilikon
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram50 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség60 V
  • SorozatOptiMOS™
  • Csomag típusaTO-252
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 60 V, 3-tüskés, TO-252
  • 366 Ft
    Darab (2500 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 60 V, 3-tüskés, TO-252
  • Csatorna típusaP
  • Maximális folyamatos nyelőáram28 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség60 V
  • Csomag típusaTO-252
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 169 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • 697 Ft
    Darab (egy rudon 50)
MOSFET, 1 elem/chip, 169 A, 55 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram169 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség55 V
  • SorozatHEXFET
  • Csomag típusaTO-220AB
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 60 V, 8-tüskés, TSDSON
  • 488 Ft
    Darab (5 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 60 V, 8-tüskés, TSDSON
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram90 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség60 V
  • Csomag típusaTSDSON
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Dióda tirisztor modul 1400V, 104A, 120mA
  • 42 559 Ft
    Darab (egy talcan 15)
Dióda tirisztor modul 1400V, 104A, 120mA
  • Névleges átlagos nyitó irányú áram104A
  • Tirisztor típusaDióda
  • Csomag típusaBG-PB20-1
  • Ismétlődő záró irányú csúcsfeszültség1400V
  • Névleges áramerősség160A
Hasonló Tirisztorok megtekintése
MOSFET, 17 A, 100 V, D2PAK HEXFET
  • 219 Ft
    Darab (800 egy tekercsen)
MOSFET, 17 A, 100 V, D2PAK HEXFET
  • Maximális folyamatos nyelőáram17 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség100 V
  • Csomag típusaD2PAK
  • SorozatHEXFET
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 240 A, 55 V, 7-tüskés, D2PAK-7 HEXFET
  • 702 Ft
    Darab (800 egy tekercsen)
MOSFET, 1 elem/chip, 240 A, 55 V, 7-tüskés, D2PAK-7 HEXFET
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram240 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség55 V
  • Csomag típusaD2PAK-7
  • SorozatHEXFET
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Infineon FP20R06W1E3BOMA1 IGBT-modul, 27 A, 600 V, Modul
  • 16 002 FtDarab
Infineon FP20R06W1E3BOMA1 IGBT-modul, 27 A, 600 V, Modul
  • Maximális folyamatos kollektoráram27 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség600 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség+/-20V
  • Maximális teljesítménydisszipáció94 W
  • Csomag típusaModul
Hasonló IGBT-k megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 94 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si
  • 1 547 Ft
    Darab (egy rudon 25)
MOSFET, 1 elem/chip, 94 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram94 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség200 V
  • Csomag típusaTO-247AC
  • SorozatHEXFET
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 174 A, 150 V, 7-tüskés, D2PAK
  • 1 434 Ft
    Darab (1800 egy tekercsen)
MOSFET, 174 A, 150 V, 7-tüskés, D2PAK
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram174 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség150 V
  • Csomag típusaD2PAK
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 31 A, 650 V, PG-TO 252-3
  • 542 Ft
    Darab (2 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
MOSFET, 31 A, 650 V, PG-TO 252-3
  • Maximális folyamatos nyelőáram31 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség650 V
  • Csomag típusaPG-TO 252-3
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Infineon FF1800R17IP5BPSA1 IGBT N-csatornás, 1,8 kA, 1700 V, AG-PRIME3+ Közös emitter
  • 362 560 FtDarab
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
Infineon FF1800R17IP5BPSA1 IGBT N-csatornás, 1,8 kA, 1700 V, AG-PRIME3+ Közös emitter
  • Maximális folyamatos kollektoráram1,8 kA
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség1700 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség20V
  • Maximális teljesítménydisszipáció1,8 kW
  • KiosztásKettős
Hasonló IGBT-k megtekintése
Infineon DDB6U50N16W1RPBPSA1 Hidas egyenirányító modul, 50A, 1200V
  • 16 602 FtDarab
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
Infineon DDB6U50N16W1RPBPSA1 Hidas egyenirányító modul, 50A, 1200V
  • Átlagos nyitóirányú csúcsáram50A
  • Ismétlődő záró irányú csúcsfeszültség1200V
  • Rögzítés típusaSzorítóval rögzíthető
  • KiosztásEgyszeres
Hasonló Hidas egyenirányítók megtekintése
MOSFET tranzisztor + dióda, 2 elem/chip, 162 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si
  • 2 773 Ft
    Darab (2 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
MOSFET tranzisztor + dióda, 2 elem/chip, 162 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram162 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség40 V
  • SorozatHEXFET
  • Csomag típusaD2PAK (TO-263)
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si
  • 221 Ft
    Darab (10 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram12 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség60 V
  • SorozatHEXFET
  • Csomag típusaSOIC
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Tranzisztor SMBTA56E6433HTMA1, PNP, 500 mA, 80 V, 100 MHz, 3-tüskés Egyszeres
  • 11 Ft
    Darab (10000 egy tekercsen)
Tranzisztor SMBTA56E6433HTMA1, PNP, 500 mA, 80 V, 100 MHz, 3-tüskés Egyszeres
  • TranzisztortípusPNP
  • Maximális DC kollektoráram500 mA
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség80 V
  • Csomag típusaSOT-23
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló Bipoláris tranzisztorok megtekintése
Infineon FF75R12RT4HOSA1 IGBT-modul N-csatornás, 75 A, 1200 V, 7-tüskés, 34 mm-es modul Sorba kötött
  • 32 456 FtDarab
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
Infineon FF75R12RT4HOSA1 IGBT-modul N-csatornás, 75 A, 1200 V, 7-tüskés, 34 mm-es modul Sorba kötött
  • Maximális folyamatos kollektoráram75 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség1200 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
  • Maximális teljesítménydisszipáció395 W
  • Csomag típusa34 mm-es modul
Hasonló IGBT-k megtekintése
MOSFET, 78 A, 30 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6
  • 81 Ft
    Darab (5000 egy tekercsen)
MOSFET, 78 A, 30 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram78 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség30 V
  • Csomag típusaSuperSO8 5 x 6
  • Rögzítés típusaFelületre szerelhető
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Infineon IKW75N65EL5XKSA1 IGBT N-csatornás, 75 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres
  • 2 081 Ft
    Darab (egy rudon 30)
Infineon IKW75N65EL5XKSA1 IGBT N-csatornás, 75 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres
  • Maximális folyamatos kollektoráram75 A
  • Maximális kollektor kibocsátó feszültség650 V
  • Maximális kapu kibocsátó feszültség±20V
  • Maximális teljesítménydisszipáció536 W
  • Csomag típusaTO-247
Hasonló IGBT-k megtekintése
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ -T2 Szilikon
  • 269 Ft
    Darab (15 darabos csomagbol)
  • Szabványos gyári csomagolásban is kapható
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS™ -T2 Szilikon
  • Csatorna típusaN
  • Maximális folyamatos nyelőáram90 A
  • Maximális nyelő forrásfeszültség40 V
  • SorozatOptiMOS™ -T2
  • Csomag típusaDPAK (TO-252)
Hasonló MOSFET-ek megtekintése
Nemrégiben keresett
Gyakran ismételt kérdések
Segítségre van szüksége?
Hívja ügyfélszolgálatunkat:
06 1 580 2262
Szolgáltatások
Rólunk
Népszerű témák
Hívjon minket
06 1 580 2262
© RS Components Sp. z o.o.
ul. Domaniewska 48 02-672 Warszawa Poland
Payment options